[发明专利]静电保护结构有效
| 申请号： | 201210253787.3 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103579218A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 保护 结构 | ||
1.一种静电保护结构，其特征是，包括：一N+/P阱二极管和一多晶硅二极管；
所述N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位,其N+扩散区通过金属连线与所述多晶硅二极管的一矩形P+扩散区相连；
所述多晶硅二极管包括：形成在P-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区；所述P+扩散区分列于所述N+扩散区两侧，其中一P+扩散区为矩形，另一P+扩散区呈由靠近N+扩散区向远离N+扩散区方向宽度逐渐增加的阶梯形结构；所述N+扩散区在靠近阶梯形P+扩散区的一侧形成与阶梯形P+扩散区相对应的阶梯形结构；所述N+扩散区通过金属连线并连后接电源电位，所述阶梯形P+扩散区通过金属连线接输出/入端口。
2.如权利要求1所述的静电保护结构，其特征是：所述多晶硅二极管具有一中心剖线（b-b),所述阶梯形P+扩散区沿中心剖线（b-b)呈对称分布。
3.一种静电保护结构，其特征是，包括：一P+/N阱二极管和一多晶硅二极管；
所述P+/N阱二极管其N阱通过N+扩散区连接电源电位,其P+扩散区通过金属连线与所述多晶硅二极管的一矩形N+扩散区相连；
所述多晶硅二极管包括：形成在N-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区；所述N+扩散区分列于所述P+扩散区两侧，其中一N+扩散区为矩形，另一N+扩散区呈由靠近P+扩散区向远离P+扩散区方向宽度逐渐增加的阶梯形结构；所述P+扩散区在靠近阶梯形N+扩散区的一侧形成与阶梯形N+扩散区相对应的阶梯形结构；所述P+扩散区通过金属连线并连后接地电位，所述阶梯形N+扩散区通过金属连线接输出/入端口。
4.如权利要求3所述的静电保护结构，其特征是：所述多晶硅二极管具有一中心剖线（c-c）,所述阶梯形N+扩散区沿所述中心剖线（c-c）呈对称分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
