[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法

说明书

本申请要求享有于2012年3月8日提交的韩国专利申请第10-2012-0023989号的优先权，为了所有目的，在此援引该专利申请的全文内容作为参考，如同该专利申请在此被全部公开。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种能够修复数据线开路故障的液晶显示器阵列基板及其制造方法。

背景技术

通常利用液晶的光学各向异性和极化性来驱动液晶显示器。由于分子的细长结构，液晶具有分子排列的取向。通过人为地将电场施加至液晶，可以控制液晶的分子排列的方向。因此，如果任意地调整液晶的分子排列的方向，则可以改变液晶的分子排列。而且，液晶的光学各向异性可使光沿液晶的分子排列的方向发生折射，从而呈现图像信息。

由于分辨率和出色的视频显示性能，其中薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的像素电极以矩阵形式布置的有源矩阵液晶显示器（AMLCD）（下文简称“液晶显示器”）近期备受关注。液晶显示器包括形成有公共电极的滤色器基板、形成有像素电极的阵列基板以及位于滤色器基板与阵列基板之间的液晶。由于液晶由公共电极与像素电极之间的垂直电场驱动，所以液晶显示器在透射率和孔径比等方面具有优良的特性。

然而，由垂直电场驱动液晶导致了液晶显示器的视角特性的降低。因而，提出了具有出色的视角特性的板内切换（IPS）模式液晶显示器。

图1是图解现有技术的IPS模式液晶显示器的子像素的截面图。

如图1所示，栅极10和栅绝缘层15形成在第一基板5上，并且有源层20形成在栅极10上。源极25a和漏极25b与有源层20连接，从而组成开关薄膜晶体管。数据线25c形成在像素区域的边缘处，并且形成与漏极25b连接的像素电极41。形成用以保护在第一基板5上形成的各元件的钝化层30，并且在钝化层30上形成公共电极42。

黑矩阵55和滤色器60形成在第二基板50上，并且覆盖黑矩阵55和滤色器60的保护层70形成在第二基板50上。液晶层80位于第一基板5与第二基板50之间。由此，通过上述结构，构造了IPS模式液晶显示器。

由于邻近数据线25c的公共电极42的耦合电容形成的预定电压差，现有技术的IPS模式液晶显示器会产生驱动故障，例如对液晶的异常驱动。

为解决上述问题，在数据线上形成屏蔽线，从而防止在数据线与公共电极之间的电压差的形成。然而，当产生数据线的开路故障时，由于在数据线上的屏蔽线，很难修复所述开路故障。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种能够防止驱动故障和修复数据线的开路故障的液晶显示器阵列基板及其制造方法。

在一个方面中，提供了一种液晶显示器阵列基板，所述液晶显示器阵列基板包括：栅线，所述栅线沿一个方向布置在基板上；数据线，所述数据线与所述栅线交叉，并与所述栅线一起限定多个像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述栅线与所述数据线的交叉处；像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管连接；以及公共电极，所述公共电极设置为与所述像素电极相对，并与所述像素电极一起形成电场，所述公共电极包括与所述数据线重叠的屏蔽线，所述屏蔽线包括至少两个切割部，所述切割部具有的宽度小于所述屏蔽线的其它部分的宽度。

在另一方面中，提供一种液晶显示器阵列基板，所述液晶显示器阵列基板包括：栅线，所述栅线沿一个方向布置在基板上；数据线，所述数据线与所述栅线交叉，并与所述栅线一起限定多个像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述栅线与所述数据线的交叉处；像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管连接；以及公共电极，所述公共电极设置为与所述像素电极相对，并与所述像素电极一起形成电场，所述公共电极包括与所述数据线重叠的屏蔽图案，所述屏蔽图案通过穿过钝化层的至少两个接触孔与所述数据线连接。

在又一方面中，提供一种制造液晶显示器阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上沿一个方向形成栅线；形成与所述栅线交叉的数据线，所述数据线与所述栅线一起限定多个像素区域；在所述栅线与所述数据线的交叉处形成薄膜晶体管；形成与所述薄膜晶体管连接的像素电极；在所述像素电极上形成钝化层；在所述钝化层上形成公共电极，所述公共电极包括屏蔽线，所述屏蔽线与所述数据线重叠，并且包括至少两个切割部，所述切割部具有窄的宽度；将激光照射到设置在与所述数据线的开路部分重叠的屏蔽线的两侧的切割部上，并且断开所述屏蔽线，以形成屏蔽图案；蚀刻所述屏蔽图案的两侧，以形成暴露所述数据线的接触孔；以及使用激光CVD修复装置形成用于填充所述接触孔的接触图案。

附图说明