[发明专利]一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种击穿电压可以调整RF-LDMOS器件。

背景技术

LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)器件与晶体管相比，在关键的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显，因此其被广泛的用于射频、微波领域的功率放大器中。RF-LDMOS击穿电压和RF-LDMOS的截止频率（f_T）是一个折衷关系，高的击穿电压是以降低RF-LDMOS的f_T为代价的，而低的击穿电压能够提高RF-LDMOS的f_T。为了能够让RF-LDMOS输出更高的功率，通常漏端的电压都固定在28伏特。高的击穿电压降低了RF-LDMOS工作的频率，现在RF-LDMOS的工作频率一般都小于3GHz。有的时候用户希望RF-LDMOS能同时工作在一段很宽的频率范围，能够同时工作在较低的工作频率和较高的工作频率。但是，又不希望为了提高RF-LDMOS的截止频率，而损害RF-LDMOS在较低工作频率下的击穿电压，从而降低输出功率。因此，如何让RF-LDMOS器件能够根据RF-LDMOS工作的频率来自动改变它的击穿电压是亟待解决的问题。

 

发明内容

本发明提供了一种解决上述问题的方案，提供一种工作频率宽，且击穿电压可以调整RF-LDMOS器件。

本发明的技术方案是提供一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设置有至少一个场板，所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层，所述场板和所述源极之间绝缘，所述场板的电压可以调节。

优选的，所述漂移区上设置一个所述场板，所述绝缘层远离所述源极一侧部分的厚度比靠近所述源极一侧部分的厚度厚，两部分之间设置有弧形过渡区。

优选的，所述漂移区上设置有两个所述场板，两个所述场板之间互不连接，且各自电压分开调节。

优选的，所述漂移区上设置有三个所述场板，三个所述场板之间互不连接，且各自电压分开调节。

优选的，所述衬底为SOI衬底，SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）衬底是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。

本发明的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件通过调节场板上的电压，从而实现击穿电压能够根据所需要工作的频率进行动态的调整。当器件工作在较低的频率，需要提供较大的输出功率的时候，可以提高器件的击穿电压。当器件工作在较高的频率，需要提高截止频率来保证足够的增益的时候，可以降低器件的击穿电压。

附图说明

图1是本发明第一最佳实施例的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件的剖面结构示意图；

图2是本发明第二最佳实施例的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件的剖面结构示意图；

图3是本发明第三最佳实施例的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件的剖面结构示意图；

图4是本发明第四最佳实施例的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件的剖面结构示意图；

图5是本发明第四最佳实施例的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件的的第二种结构；

图6是本发明的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件封装的一种结构示意图；

图7是本发明的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件封装的第二种结构示意图;

图8是本发明的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件的工作原理图。

 

具体实施方式

下面以N型RFLDMOS为例对本发明的具体实施方式作进一步详细的描述，对于P型RFLDMOS，同理可得。