[发明专利]一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件无效
| 申请号： | 201210251510.7 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102790088A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一个 击穿 电压 可以 调整 rf ldmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设置有至少一个场板，所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层，所述场板和所述源极之间绝缘，所述场板的电压可以调节。
2.根据权利要求1所述的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区上设置一个所述场板，所述绝缘层远离所述源极一侧部分的厚度比靠近所述源极一侧部分的厚度厚，两部分之间设置有弧形过渡区。
3.根据权利要求1所述的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区上设置有两个所述场板，两个所述场板之间互不连接，且各自电压分开调节。
4.根据权利要求1所述的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区上设置有三个所述场板，三个所述场板之间互不连接，且各自电压分开调节。
5.根据权利要求1至4其中之一所述的一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述衬底为SOI衬底。
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