[发明专利]用于射频识别标签的静电保护电路

权利要求书

1.一种用于射频识别标签的静电保护电路，包括：通过天线端口相连的集成PNP型双极晶体管和集成NPN型双极晶体管两个部分：

所述的集成PNP型双极晶体管由多个PNP型双极晶体管组成，PNP双极晶体管的发射极接射频识别标签的天线端口，基极和集电极短接后接地；

所述的集成NPN型双极型晶体管由多个NPN型双极晶体管组成，NPN双极晶体管的发射极接射频识别标签的天线端口，基极和集电极短接后接地。

2.根据权利要求1所述的用于射频识别标签的静电保护电路，其特征在于：所述的PNP型双极晶体管的个数为1至10个。

3.根据权利要求1所述的用于射频识别标签的静电保护电路，其特征在于：所述的PNP型双极晶体管结构，包括：以P型衬底作为PNP型双极晶体管的集电区，在衬底上进行P型杂质注入形成欧姆接触，淀积金属作为PNP型双极晶体管的集电极；在P型衬底上进行N阱注入，作为PNP型双极型晶体管的基区，在N阱上进行N型杂质注入形成欧姆接触，淀积金属作为PNP型双极晶体管的基极；在N阱里进行P型杂质注入作为PNP管的发射区，淀积金属形成发射极。

4.根据权利要求1所述的用于射频识别标签的静电保护电路，其特征在于：所述的NPN型双极晶体管的个数为1至10个。

5.根据权利要求1所述的用于射频识别标签的静电保护电路，其特征在于：所述的NPN型双极晶体管的器件结构，包括：以P型衬底作为NPN型双极晶体管的基区，在衬底上进行P型杂质注入形成欧姆接触，淀积金属作为NPN型双极晶体管的基极；在P型衬底上进行N阱注入，形成NPN型双极晶体管的集电区，在N阱中进行N型杂质注入形成欧姆接触，淀积金属作为NPN型双极晶体管的集电极；在P型衬底上进行N型杂质注入形成NPN管的发射区，淀积金属作为NPN双极型晶体管的发射极。