[发明专利]耐电晕聚酰亚胺膜及其制备工艺有效

专利信息
申请号: 201210242123.7 申请日: 2012-07-13
公开(公告)号: CN102732032A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 周天兴;周慰嘉 申请(专利权)人: 周天兴;周慰嘉
主分类号: C08L79/08 分类号: C08L79/08;C08K3/22;C08K3/36;C08G73/10;C08J5/18
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 罗习群;刘莹
地址: 200232 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电晕 聚酰亚胺 及其 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种耐电晕聚酰亚胺膜,其特征在于,包含如下组份及配方:

A组份:由N,N一二甲基乙酰胺,纳米填料,高分子树脂,硅烷偶联剂组成,通过预分散及高压分散制备成均匀而稳定的耐电晕浆;所述纳米填料至少一种选自纳米三氧化二铝,或纳米二氧化硅,或纳米二氧化钛,或选自其中的二种,或三种混合填料,优选纳米三氧化二铝填料,其添加量为聚酰胺溶液中固体量的10~35%,更优选采用16~28%,其中树脂添加量与纳米填料量之比为1:1,其中助剂用量为溶剂量的0.03~0.5%,优选0.03~0.08%;

B组份:由均苯四甲酸二酐在N,N一二甲基乙酰胺中与4,4’一二氨基二苯醚或4,4’一二氨基二苯醚和对苯二胺反应制成的低分子聚酰胺酸溶液;其反应的mol比为≤0.8:1或≤0.8:0.7:0.3,其中4,4’—二氨基二苯醚与对苯二胺的mol比为0.7:0.3;

耐电晕高分子聚酰胺酸溶液:由A、B组份混合均匀后成为耐电晕低分子聚酰胺酸溶液,通过增加均苯四甲酸二酐进行深入的原位聚合反应,生成耐电晕高分子聚酰胺酸溶液,其中均苯四甲酸二酐与4,4’—二氨基二苯醚或4,4’—二氨基二苯醚和对苯二胺最终的反应mol比为1:1或1:0.7:0.3。

2.按照权利要求1所述的耐电晕聚酰亚胺膜的制备工艺,包括以下步骤:

(1)将A组份的原料通过搅拌预分散,随后采用高压分散技术,使纳米填料分散后恢复到原始的纳米粒径,使树脂分散后达到均质,从而使树脂均匀地包裹在纳米填料表面产生交联,阻止纳米颗粒在后续加工中再次发生团聚;

(2)将B组份的二种或三种反应单体在极性溶剂中反应,通过控制粘度达到控制其分子量,制备成低分子(低粘度)聚酰胺酸溶液;

(3)将A组份投入B组份中,通过强力机械搅拌,使混合体系中的纳米填料分布均匀而稳定,补充投入均苯四酸二酐进行原位聚合反应,控制反应温度≤65℃,制备成耐电晕高分子聚酰胺酸溶液,重均分子量为3×104~1×105

(4)根据耐电晕高分子聚酰胺酸溶液的特性,采用流涎工艺于130~175℃下制备成膜,并采用380~450℃高温亚胺化工艺制成耐电晕聚酰亚胺膜。

3.根据权利要求2所述的耐电晕聚酰亚胺膜工艺制成的聚酰亚胺膜厚度为0.025mm,耐高频脉冲特性>200h。

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