[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成栅极堆叠结构以及栅极侧墙，在栅极堆叠结构以及栅极侧墙两侧衬底中分别形成源区和漏区；

在漏区上选择性形成阻挡层，其中阻挡层覆盖漏区并且暴露源区；

在暴露的源区上外延形成提升源区；

去除阻挡层。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，阻挡层材料与衬底材料不同。

3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在漏区上选择性形成阻挡层的步骤进一步包括：

在整个器件上形成阻挡材料层；

在阻挡材料层上形成光刻胶图形，覆盖漏区上的阻挡材料层并且暴露源区上的阻挡材料层；

刻蚀暴露的源区上的阻挡材料层，仅留下漏区上的部分阻挡材料层而构成阻挡层；

去除光刻胶图形。

4.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，提升源区包括Si、SiGe、Si：C及其组合。

5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在形成提升源区的同时原位掺杂，或者在形成提升源区之后注入掺杂，使得提升源区与源区导电类型相同。

6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，去除阻挡层之后还包括：

在漏区和提升源区上形成金属硅化物；

在整个器件上形成层间介质层；

刻蚀层间介质层直至暴露金属硅化物，形成源漏接触孔；

在源漏接触孔中沉积形成源漏接触塞。

7.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，栅极堆叠结构为假栅极堆叠结构，包括氧化硅的垫氧化层以及多晶硅、非晶硅、氧化硅的假栅极填充层。

8.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中，在形成层间介质层之后，刻蚀层间介质层之前还包括：

平坦化层间介质层以及假栅极堆叠结构直至暴露假栅极填充层；

去除假栅极填充层，形成栅极沟槽；

栅极沟槽中形成功函数调节层和电阻调节层。

9.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，源区和/或漏区包括轻掺杂的延伸区以及重掺杂区。

10.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，源区与漏区对称。