[发明专利]一种基于相变材料的可调谐超材料吸收器

权利要求书

1.一种基于相变材料的可调谐超材料吸收器，其特征在于，该吸收器基于多层结构，其顶部金属层具有周期性结构的孔阵列；所述的多层结构是通过在玻璃衬底上生长金属层、相变材料层、金属层和氧化层而成，金属层的宽度在1微米至2厘米、高度在20纳米至10微米，相变材料层宽度在1微米至2厘米、高度在20纳米至10微米；氧化层宽度在1微米至2厘米、高度在1纳米至1微米；所述的周期性孔矩阵孔是三角形、方形、圆形、椭圆形、弧形、十字形、六边形；孔的宽度在20纳米至1微米、高度在60纳米至30微米。

2.根据权利要求1所述的可调谐超材料吸收器，其特征在于，金属层Al、Ag、Au、Cu、Ni。

3.根据权利要求1所述的可调谐超材料吸收器，其特征在于，相变材料层包括GeTe，Ge₂Sb₂Te₅，Ge₁Sb₂Te₄， Ge₂Sb₂Te₄，Ge₃Sb₄Te₈，Ge₁₅Sb₈₅，Ag₅In₆Sb₅₉Te₃₀。

4.根据权利要求1所述的可调谐超材料吸收器，其特征在于，氧化层是In₂O₃、SnO₂、ITO。

5.根据权利要求1所述的可调谐超材料吸收器，其特征在于，多层结构可以通过材料生长工艺实现，包括电子束蒸发、金属有机化合物化学气相沉淀、气相外延生长、分子束外延。

6.根据权利要求1所述的可调谐超材料吸收器，其特征在于，周期性孔矩阵通过干法或者湿法刻蚀工艺实现，包括电子束曝光、聚焦离子束曝光、反应离子束刻蚀。