[发明专利]太阳能电池的选择性发射极结构及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的选择性发射极结构，包括p型晶体硅衬底，上表面分布有间断的轻掺杂区，所述轻掺杂区的间断处设有n++重掺杂区。

2.根据权利要求1所述太阳能电池的选择性发射极结构，其特征在于：所述衬底的厚度为160微米至220微米。

3.一种太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，包括如下步骤：

(1)提供p型晶体硅片作为半导体衬底；

(2)在半导体衬底表面在820至900℃的环境下重扩散形成n++重掺杂区；

(3)在n++重掺杂区上形成掩膜阻隔层；

(4)利用等离子体干法刻蚀n++重掺杂区，在掩膜阻隔层以外的区域形成轻掺杂区。

4.根据权利要求3所述太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底的电阻率为1至6Ω·cm，衬底的厚度为160微米至220微米。

5.根据权利要求3所述太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，以液态POCl₃为原料扩散形成n++重掺杂区，该n++重掺杂区的方块电阻为20至60ohm/□。

6.根据权利要求3所述太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，还包括：在常温下用重量百分比1%至10%的氢氟酸清洗n++重掺杂区0.5至10min，去除n++重掺杂区表面的磷硅玻璃。

7.根据权利要求3所述太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，使用喷墨印刷抗蚀剂作为掩膜阻隔层，然后烘干。

8.根据权利要求7所述太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：烘干温度为100至350℃，烘干后的掩膜阻隔层的高度为5至20um，宽度为100至500um。

9.根据权利要求3所述太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述轻掺杂区的方块电阻为70至140ohm/□。

10.根据权利要求3所述太阳能电池的选择性发射极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，还包括：先去除掩膜阻隔层，再清洗等离子体干法刻蚀后在硅片表面形成的残留物。