[发明专利]去耦电容器电路系统

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一端子和第二端子；

半导体衬底；

在所述半导体衬底上的绝缘体层；

在所述绝缘体层上的导体，配置成用作集成电路电容器的第一导电结构，其中所述导体电耦合至所述第一端子；以及

至少一个符合密度准则的结构，电耦合至所述第二端子并且配置成用作所述集成电路电容器的第二导电结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述符合密度准则的结构包括多晶硅。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述导体包括多晶硅栅极结构。

4.根据权利要求3所述的集成电路，还包括：

在所述半导体衬底中与所述多晶硅栅极结构相邻的源极-漏极区，其中所述源极-漏极区耦合至所述第二端子。

5.根据权利要求4所述的集成电路，还包括：

所述半导体衬底中的掺杂阱，其中所述掺杂阱的一部分位于所述绝缘体层下方，并且其中在所述掺杂阱中形成所述源极-漏极区。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述掺杂阱包括n阱，并且其中所述源极-漏极区包括n+掺杂区。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述掺杂阱包括p阱，并且其中所述源极-漏极区包括p+掺杂区。

8.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

在所述半导体衬底中的源极-漏极区，其中所述源极-漏极区耦合至所述第二端子。

9.根据权利要求8所述的集成电路，还包括：

金属结构，电耦合至所述第二端子，具有耦合至所述源极-漏极区的至少一个指，并且具有耦合至所述符合密度准则的结构的至少一个指。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述至少一个符合密度准则的结构包括第一符合密度准则的结构和第二符合密度准则的结构，所述集成电路电容器还包括：

金属结构，电耦合至所述第二端子，具有耦合至所述源极-漏极区之一的第一指，具有耦合至所述第一符合密度准则的结构的第二指，并且具有耦合至所述第二符合密度准则的结构的第三指。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述第一符合密度准则的结构介于所述第二符合密度准则的结构和所述第一指耦合到的所述源极-漏极区之间。

12.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述至少一个符合密度准则的结构包括第一符合密度准则的结构和第二符合密度准则的结构，所述集成电路电容器还包括：

金属结构，耦合至所述第二端子，其中所述金属结构包括耦合至所述源极-漏极区之一的路径以及覆盖所述第一符合密度准则的结构和所述第二符合密度准则的结构两者的金属板部分，其中所述金属结构电耦合到所述第一符合密度准则的结构和所述第二符合密度准则的结构，并且其中所述第一符合密度准则的结构介于所述第二符合密度准则的结构和所述金属结构耦合到的所述源极-漏极区之间。

13.一种集成电路，包括：

电源线；

半导体衬底；

在所述半导体衬底上的绝缘体层；

在所述绝缘体层上的导体；以及

至少一个符合密度准则的结构，电耦合至所述电源线，其中所述符合密度准则的结构和所述导体形成电容性结构。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述导体包括多晶硅栅极。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述至少一个符合密度准则的结构包括多晶硅。

16.根据权利要求13所述的集成电路，还包括：

在所述半导体衬底中形成的浅沟槽隔离结构，其中所述符合密度准则的结构布置在所述浅沟槽隔离结构之上。

17.根据权利要求13所述的集成电路，还包括：

附加的电源线，其中所述附加的电源线耦合至所述导体。