[发明专利]一种消除晶体状凝结缺陷的刻蚀机台无效
| 申请号： | 201210228271.3 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102768971A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;李程;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 晶体 凝结 缺陷 刻蚀 机台 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除晶体状凝结缺陷的刻蚀机台，包括刻蚀机台本体，其特征在于，所述刻蚀机台本体中还设有烘烤腔和冷却腔，刻蚀机台内传送系统将经过刻蚀后的硅片离开真空环境后被送入所述烘烤腔中进行高温烘烤，完成高温烘烤后送入所述冷却腔中冷却。
2.根据权利要求1所述的刻蚀机台，其特征在于，所述烘烤腔中设有圆形加热板，所述加热板中埋有金属电热丝，所述加热板上设有三个顶针，用于硅片的顶起和放下。
3.根据权利要求2所述的刻蚀机台，其特征在于，所述加热板为铝合金材料。
4.根据权利要求2所述的刻蚀机台，其特征在于，所述电热丝呈同心圆排列。
5.根据权利要求1所述的刻蚀机台，其特征在于，所述冷却腔内设有两排冷却架，所述冷却架为中空式结构。
6.根据权利要求1所述的刻蚀机台，其特征在于，所述冷却架为铝合金材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
