[发明专利]阵列基板的断线修补装置及修补方法无效

专利信息
申请号: 201210226443.3 申请日: 2012-07-03
公开(公告)号: CN102759829A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 郑文达 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/13
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 欧阳启明
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 断线 修补 装置 方法
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及液晶显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板的断线修补装置及修补方法。

【背景技术】

随着液晶显示技术的不断发展,对液晶生产效率提出了很高的要求。液晶显示面板包括阵列基板及彩色滤光片基板,所述阵列基板上设置有大量的导线,如数据线和扫描线。

在制作阵列基板过程中,由于各种因素的影响,可能会有数据线或者扫描线存在断线缺陷的情况,请参阅图1A,图1A中导线10存在断线缺陷11,导致所述导线10不能导通,进而不能实现传输信号的功能。

现有技术中,为了修复所述导线10上存在的断线缺陷11,通常是通过断线修补机在导线10的断线缺陷11处镀膜,在断线缺陷处形成补线12以导通所述导线10,如图1B所示。

但是通过断线修补机形成所述补线12后,由于所述补线12的表面的分子没有顺序排列,由所述分子构成的晶格15(其中表示分子在晶体中排列规律的空间格架称为晶格)排列顺序也较为混乱,请参阅图1C,无序排列的晶格15形成的界线13数量过多,请参阅图1D;而且在镀膜形成所述补线12后,所述补线12的表面存在裂缝14,使得所述补线12的表面高低不平,请参阅图1E。上述两种情况都会导致所所述补线12表面的阻抗增加,导致所述补线12的电阻增加,进而使得修补后的导线10的导电性能降低,影响所述导线10传输信号的能力。因此,采用现有的断线修补机及其修补方法,仅能修补断线长度在100微米以内的导线,若导线的断线长度超过100微米,则该阵列基板将视为不合格品而报废,从而影响了阵列基板的制造良率。

【发明内容】

本发明的一个目的在于提供一种阵列基板的断线修补装置,以解决现有技术中由于对导线的断线缺陷处镀膜形成补线后,补线表面的分子排列混乱,影响导线传输信号的能力,进而影响修补长度的技术问题。

为解决上述技术问题,本发明构造了一种阵列基板的断线修补装置,包括:

修补单元;用于在阵列基板上导线的断线缺陷处形成修补线;

加热单元;用于对所述修补单元形成的修补线进行加热。

在本发明一实施例中:所述修补单元具体包括:

清除模块;用于清除所述断线缺陷两端的保护层以露出断线缺陷的两端; 

镀线模块;用于采用修补线材料在所述断线缺陷处形成所述修补线,以导通所述导线。

在本发明一实施例中:所述修补线材料为六羟基铬、六羟基钼或者六羟基钨。

在本发明一实施例中:所述加热单元,还用于采用激光束加热方式对所述修补单元形成的修补线进行加热。

在本发明一实施例中:所述加热单元,还用于在所述修补线表面产生一预设温度,其中所述预设温度大于所述修补线材料的熔点而小于所述修补线材料的沸点。

本发明的另一个目的在于提供一种阵列基板的断线修补方法,以解决现有技术中由于对导线的断线缺陷处镀膜形成补线后,补线表面的分子排列混乱,影响导线传输信号的能力,进而影响修补长度的技术问题。

为解决上述技术问题,本发明构造了一种阵列基板的断线修补方法,所述方法包括以下步骤:

在阵列基板上导线的断线缺陷处形成修补线;

对形成的修补线进行加热。

在本发明一实施例中:在阵列基板上导线的断线缺陷处形成修补线的步骤具体包括:

清除所述断线缺陷两端的保护层以露出所述断线缺陷的两端;

采用修补线材料在所述断线缺陷处形成所述修补线,以导通所述导线。

在本发明一实施例中:所述修补线材料为六羟基铬、六羟基钼或者六羟基钨。

在本发明一实施例中:对形成的修补线进行加热的步骤具体包括:

采用激光束加热方式对已形成的修补线进行加热。

在本发明一实施例中:对形成的修补线进行加热的步骤具体包括:

在所述修补线表面产生一预设温度;其中所述预设温度大于所述修补线材料的熔点而小于所述修补线材料的沸点。

相对于现有技术,本发明在导线的断线缺陷处形成修补线以导通所述导线,并对所述修补线进行高温加热,使得所述修补线表面的分子按照预设规则重新排列,减少了所述修补线表面的晶界数量,使得所述修补线表面均匀,进而降低了所述修补线的电阻,提高了所述导线传输信号的能力,可以实现对长度较长的断线缺陷的修补。

为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:

【附图说明】

图1A和图1E为现有技术中对导线的断线缺陷修补的结构示意图;

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