[发明专利]阵列基板的断线修补装置及修补方法无效
| 申请号： | 201210226443.3 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102759829A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 郑文达 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 断线 修补 装置 方法 | ||
1.一种阵列基板的断线修补装置，其特征在于：包括：
修补单元；用于在阵列基板上导线的断线缺陷处形成修补线；
加热单元；用于对所述修补单元形成的修补线进行加热。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修补装置，其特征在于：所述修补单元具体包括：
清除模块；用于清除所述断线缺陷两端的保护层以露出断线缺陷的两端；
镀线模块；用于采用修补线材料在所述断线缺陷处形成所述修补线，以导通所述导线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的断线修补装置，其特征在于：所述修补线材料为六羟基铬、六羟基钼或者六羟基钨。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修补装置，其特征在于：所述加热单元，还用于采用激光束加热方式对所述修补单元形成的修补线进行加热。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修补装置，其特征在于：所述加热单元，还用于在所述修补线表面产生一预设温度，其中所述预设温度大于所述修补线材料的熔点而小于所述修补线材料的沸点。
6.一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
在阵列基板上导线的断线缺陷处形成修补线；
对形成的修补线进行加热。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于：在阵列基板上导线的断线缺陷处形成修补线的步骤具体包括：
清除所述断线缺陷两端的保护层以露出所述断线缺陷的两端；
采用修补线材料在所述断线缺陷处形成所述修补线，以导通所述导线。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于：所述修补线材料为六羟基铬、六羟基钼或者六羟基钨。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于：对形成的修补线进行加热的步骤具体包括：
采用激光束加热方式对已形成的修补线进行加热。
10.根据权利要求6所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于：对形成的修补线进行加热的步骤具体包括：
在所述修补线表面产生一预设温度；其中所述预设温度大于所述修补线材料的熔点而小于所述修补线材料的沸点。
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