[发明专利]具有波长转换层的发光二极管元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体结构，其包括：

一p型半导体；

一主动区，设置于所述p型半导体之上；及

一n型半导体，设置于所述主动区之上；以及

附着一预先制作的波长转换层于所述n型半导体的至少一部分之上。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，附着所述波长转换层的步骤包括使用黏着剂、硅胶、环氧树脂、旋涂式玻璃及压敏黏贴剂中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述波长转换层具有一矩形横剖面。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述波长转换层具有一实质上均等的厚度。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在附着所述波长转换层的步骤之后，所述波长转换层的上侧面实质上是平坦的。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述波长转换层包括：

一透明的第一层；及

一第二层，包括至少一荧光粉体及一黏结材料。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一层包括二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化铟锡及聚合物材料中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述波长转换层被图案化处理。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述波长转换层包括至少一荧光粉体及一黏结材料。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在附着所述波长转换层的步骤之前，进一步包括以下步骤：

通过湿式蚀刻、干式蚀刻、及光微影蚀刻工艺中的至少一者，粗糙化所述n型半导体的上侧面。

11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在附着所述波长转换层的步骤之后，进一步包括以下步骤：

固化所述波长转换层。

12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

沉积一n接触于所述n型半导体的表面上。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

连接一导线至所述n接触，用以做外部连接。

14.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述p型半导体设置于至少一金属层之上。

15.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

切割所述半导体结构而成为多个独立的发光二极管单元。

16.一种发光二极管结构，其特征在于，其包括：

一p型半导体；

一主动区，设置于所述p型半导体之上；

一n型半导体，设置于所述主动区之上；以及

一波长转换层，设置于所述n型半导体的至少一部分之上；

其中，所述波长转换层的上侧面实质上是平坦的。

17.根据权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层具有一矩形横剖面。

18.根据权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层具有一实质上均等的厚度。

19.根据权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层通过黏着剂、硅胶、环氧树脂、旋涂式玻璃及压敏黏贴剂中的至少一者而附着至所述n型半导体的所述至少一部分。

20.根据权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层未覆盖所述n型半导体、所述主动区及所述p型半导体的侧面。

21.根据权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，所述波长转换层包括：

一透明的第一层；及

一第二层，包括至少一荧光粉体及一黏结材料。

22.根据权利要求21所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一层包括二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化铟锡及聚合物材料中的至少一者。