[发明专利]一种用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统无效
申请号: | 201210200710.X | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN102732956A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 刘欣;魏唯;陈特超;罗才旺;李克;陈峰武;林伯奇;贾京英 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C30B25/02 | 分类号: | C30B25/02;C30B25/14;C30B29/38;C23C16/34;C23C16/455;H01L21/205 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 设备 gan 外延 mo 供给 系统 | ||
1.一种用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,包括分别通过载气进气管与气源(3)相连的标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路;所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路分别通过MO源出气管与Run/Vent切换回路(1)相连;所述气源通过管道与Run/Vent切换回路(1)相连;
所述标准管路包括源瓶部件,该源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器(18),该源瓶部件的MO源出气管上装有压力控制器(19);
所述双稀释管路包括源瓶部件,该源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器(28),该源瓶部件的MO源出气管分为两支,一支通过压力控制器(29)与一干泵(2)相连,另一支通过质量流量控制器(212)与Run/Vent切换回路(1)相连;所述双稀释管路的载气进气管通过质量流量控制器(211)与双稀释管路的MO源出气管相连;
所述双重标准管路包括两个源瓶部件,其中一个源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器(38),该源瓶部件的MO源出气管上装有压力控制器(39);另一个源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器(48),该源瓶部件的MO源出气管上装有压力控制器(49);
所述浓度计管路包括源瓶部件,该源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器(58),该源瓶部件的MO源出气管上串联有浓度计(511)和压力控制器(59);
所述双源瓶串联管路包括两个串联的源瓶部件,一个源瓶部件的MO源出气管与另一个源瓶部件的载气进气管相连,一个源瓶部件的载气进气管上装有质量流量控制器(68),另一个源瓶部件的MO源出气管上串联有浓度计(611)和压力控制器(69)。
2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路的源瓶部件包括源瓶本体,该源瓶本体的进气端和出气端上均装有手动隔离阀。
3.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路的载气进气管和MO源出气管之间通过一排气管道相连,该排气管道上设有手动隔离阀;所述排气管道与干泵(2)相连。
4.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路的载气进气管上质量流量控制器(18,28,38,48,58,68)的进口和出口出均设置有气动隔离阀(15,25,35,45,55,65)。
5.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路的MO源出气管上压力控制器(19,29,39,49,59,69)的入口处均装有气动隔离阀(16,26,36,46,56,66)。
6.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,所述标准管路、双稀释管路、双重标准管路、浓度计管路和双源瓶串联管路的载气进气管和MO源出气管通过气动隔离阀(17,27,37,47,57,67)相连。
7.根据权利要求2所述的用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,所述源瓶本体位于恒温水浴槽内。
8.根据权利要求2所述的用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,其特征是,所述标准管路的源瓶部件内装有TEGa;所述双稀释管路的源瓶部件内装有TMAl;所述双重标准管路的源瓶部件内均装有TMGa;所述浓度计管路的源瓶部件内装有Cp2Mg;所述双源瓶串联管路的源瓶部件内均装有TMIn。
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