[发明专利]PCB逐层对位镭射钻孔的方法有效

专利信息
申请号: 201210197329.2 申请日: 2012-06-14
公开(公告)号: CN102711382A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 胡翠儿;姚晓建 申请(专利权)人: 广州美维电子有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/40;B23K26/36
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 汤喜友
地址: 510663 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: pcb 对位 镭射 钻孔 方法
【说明书】:

 

技术领域

发明涉及印制电路板的制作方法,具体PCB逐层对位镭射钻盲孔的方法。

背景技术

目前印制电路板制作向高、精、密方向发展,受线路设计影响,盲孔底PAD(焊盘)设计趋小,同时,受制板层间偏移影响,使用传统的X-RAY钻靶(两次外层图形叠合),容易造成盲孔崩孔,以4层电路板为例, 

(1)设计的对位标靶图形(L02/L03)无偏移时,如图1a所示,盲孔(L0102/L0403)对内层PAD的无偏移或偏移量小,其中L02/L03是指在L02层电路板以及L03电路板上设计对位标靶图形,且二者的标靶图形叠合,L0102/L0403是至在L01和L02间制作盲孔,以及在L04和L03间制作盲孔;

(2)由于对位标靶图形叠合的层间对准度较低,当设计的标靶图形(L02/L03)偏移时,如图1b所示,由于内层PAD设计小,盲孔(L0102/L0403)对内层PAD偏移甚至发生崩孔(即盲孔偏出底PAD)。

并且由图1b可以看出,在PCB制作的过程中,压合次数的增加对于盲孔对应的底PAD图形的对位精准度增加难度,同时,盲孔底PAD设计越来越小,也增加了盲孔对底PAD的位置精度的难度,从而导致盲孔位置偏移增加。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明旨在提供一种可有效解决盲孔对内层偏孔问题的PCB逐层对位镭射钻孔的方法。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其包括以下步骤:

在相对的次层电路板上制作标靶;

将覆盖在所述标靶上的铜层去除,或者将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层同时去除,显露出标靶进行对位;

激光直接钻盲孔。

作为改进,在不同的次层电路板上的标靶错位分布,错位分布可增加标靶与标靶外图形对比度,减小对位误差。

作为显露标靶的第一种实施方式,所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为:采用镭射钻孔机将标靶上的铜层和树脂层去除掉,露出该标靶,同时镭射钻机上的CCD识别该标靶并进行补偿定位。

作为显露标靶的第二种实施方式,所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为:在外层电路板上与所述标靶相对应的位置设计开窗图形;使用贴干膜或湿膜;曝光标靶图形,将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上;显影;蚀刻;褪去所述干膜或湿膜;将所述标靶上方铜层去除,显露出该标靶。

作为显露标靶的第三种实施方式,所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为:采用机械钻机,利用钻咀将标靶上方铜层去除,显露出标靶。

作为显露标靶的第四种实施方式,所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为:采用X-RAY钻靶机根据相对的次层电路板上标靶钻出单层对位标靶孔,显露出标靶。

优选地,所述制作标靶的方法为:在相对的次层电路板上贴干膜或湿膜;曝光标靶图形,将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上;显影;蚀刻;褪去所述干膜或湿膜。

本发明所阐述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法,与现有技术相比,其有益效果在于:本发明提供一种在印制电路板镭射钻孔工艺制作时,采用烧靶、蚀刻或刮铜的方法显露出内层标靶进行逐层对位,或X-RAY钻靶机钻单层标靶,替代传统的使用X-RAY钻通靶(两次外层图形叠合)方法,可有效解决盲孔对内层偏孔问题。

附图说明

附图1a、1b为现有镭射钻孔的对位标靶的示意图;

附图2为本发明PCB逐层对位镭射钻孔的方法的流程图;

附图3a、3b、3c为本发明PCB逐层对位镭射钻孔的制作过程示意图。

具体实施方式

下面,结合附图以及具体实施方式,对本发明的PCB逐层对位镭射钻孔的方法做进一步描述,以便于更清楚的理解本发明所要求保护的技术思想。

如图2所示,PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其包括以下步骤:

S01、在相对的次层电路板上制作标靶;

这里相对的次层电路板是相对于本技术领域中的次层电路板而言的,本技术领域的次层电路板是指最外层电路板内侧的一层称之为次层,例如在八层板中,第二层和第七层就称之为次层,而在本发明中,相对的次层电路板是指除中心层以外的其他层电路板内侧的一层均称之为相对的次层,同以八层板为例,其中第四层和第五层为中心层,第四层相对于第三层而言为相对的次层,第三层相对于第二层而言又称之为相对的次层,同理,第五层相对于第六层而言为相对的次层,第六层有相对于第七层为相对的次层,如此递推。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州美维电子有限公司,未经广州美维电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210197329.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top