[发明专利]利用锌种子层在石墨烯上生长高k介质的方法无效
| 申请号： | 201210195515.2 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102709169A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;沈于兰;孙清清;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 种子 石墨 生长 介质 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种利用锌种子层在石墨烯上生长高k介质的方法，其特征在于具体步骤为：
提供需要生长高k介质的石墨烯薄膜；
采用等离子辅助电子束蒸发或磁控溅射技术，在石墨烯薄膜上制备锌薄膜，得到锌种子层，控制锌种子层的厚度在1 nm-3nm；
将经上述步骤处理的样品置于氧气环境中100℃-200℃，30-60 分钟，使锌种子层充分被氧化，形成缓冲层；
利用原子层沉积方法在上述样品上生长高k介质，沉积温度控制为100℃-200℃。
2. 根据权利要求1所述的生长高k介质方法，其特征在于所述的石墨烯薄膜是生长在绝缘衬底上的。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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