[发明专利]气相沉积装置无效
申请号: | 201210192079.3 | 申请日: | 2012-06-11 |
公开(公告)号: | CN103484836A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 刘恒 | 申请(专利权)人: | 绿种子材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 大开曼岛*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 装置 | ||
1.一种气相沉积装置,其特征在于,包括:
一反应腔体,具有一供气装置;
一管线系统,连接该供气装置;以及
至少一反应物供应瓶,每一该反应物供应瓶分别储存一反应物,该至少一反应物供应瓶以一控温装置包覆,该控温装置具有一输入端与一输出端,使得一调控流体流入该输入端后再流出该输出端,维持该反应物在一预设温度。
2.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,还包括:
一温度感测器,装设于该管线系统或该反应物供气瓶上,用以感测该反应物的温度,产生一温度信号。
3.根据权利要求2所述的气相沉积装置,其特征在于,还包括:
一流速控制器,根据该温度信号控制该调控流体流入该输入端流速。
4.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,还包括:
一循环系统,将该输出端所输出的该调控流体进行一热交换后,再传递至该输入端。
5.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,该调控流体为一气体或一液体。
6.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,还包括:
一流量控制系统,控制该反应物的流速,并且经由该管线系统将该反应物传递至该供气装置进入该反应腔体。
7.根据权利要求6所述的气相沉积装置,其特征在于,还包括一温度感测器设置于该流量控制系统,以感测该反应物的温度,产生一温度信号。
8.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,该控温装置为一第一缠绕线路包覆于该反应物供应瓶。
9.根据权利要求8所述的气相沉积装置,其特征在于,该控温装置还包括一第二缠绕线路与该第一缠绕线路交错包覆于该反应物供应瓶。
10.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,该至少一反应物供应瓶为多个供气瓶,对应该些供气瓶包覆的多个控温装置,以一共通输入线路同时连接到该些控温装置的对应多个输入端。
11.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,该至少一反应物供应瓶包括一第一供气瓶与一第二供气瓶,对应一第一控温装置与一第二控温装置,该第一控温装置具有一第一输入端与一第一输出端,该第二控温装置具有一第二输入端与一第二输出端,其中第一输出端连接该第二输入端。
12.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其特征在于,该预设温度范围为摄氏4度到40度。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的