[发明专利]以PEG作为模板剂制备介孔β-Ga2O3纳米棒光催化剂的方法

权利要求书

1.以PEG作为模板剂制备介孔β-Ga₂O₃纳米棒光催化剂的方法，其特征在于，是以含镓化合物、碱性物质为原料，以PEG作为模板剂，采用水热合成法制备介孔β-Ga₂O₃纳米棒光催化剂，其具体制备过程如下：

（1）将含镓化合物、碱性物质、PEG、去离子水混合，室温下搅拌1~4小时至完全溶解，在100~300℃水热处理6~24小时；

（2）冷却后抽滤分离，先用去离子水洗涤3~5次，再用无水乙醇洗涤3~5次，在 100~200℃干燥1~4小时，研磨得到白色粉末GaOOH；

（3）将上述GaOOH转移至于马弗炉中，在500~1000℃煅烧1~6小时，即得到均一稳定的介孔β-Ga₂O₃纳米棒光催化剂；

在步骤（1）所述的含镓化合物、碱性物质、PEG、去离子水组成的混合溶液中，各组分的摩尔比为Ga³⁺∶OH^-∶PEG∶H₂O=1∶（10~30）∶(0.85~25.56) ∶(442~884)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的含镓化合物为氯化镓、硝酸镓或硫酸镓；所述的碱性物质为氢氧化钠、氢氧化钾或尿素。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的模板剂PEG的平均分子量为200~6000，密度为1.127g/L。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行水热处理时的填充度，即填充溶液体积占高压釜内衬体积的比例为40~90%。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制备所获得的β-Ga₂O₃纳米棒光催化剂为单斜晶系（JCPDS:41-1103），直径为200~300nm，长度为1.00~1.20μm，比表面积为7.79~29.00 m²/g，孔径分布在10~50nm，属于介孔材料。