[发明专利]复合型电容

权利要求书

1.一种复合型电容，包括：

基板，该基板具有多个贯通孔；

至少一平行板电容，位于该基板上；以及

至少一贯通孔电容，位于至少一贯通孔中并与该平行板电容并联，该贯通孔电容至少包括：

正极层，至少位于该贯通孔的内表面，其中该正极层至少于贯通孔的内表面为一多孔结构；

第一介电层，至少位于该正极层的该多孔结构上；

第一负极层，覆盖于该第一介电层的表面；以及

第二负极层，覆盖于该第一负极层的表面，且

该平行板电容至少包括：

第一导体层，且该第一导体层与该贯通孔电容的该正极层电性连接至该基板的一面；

第二导体层，位于该第一导体层上，且该第二导体层与该贯通孔电容的该第二负极层电性连接至该基板的另一面，使该平行板电容与该贯通孔电容的单极拉出在该基板的表面；以及

第二介电层，位于该第一导体层与该第二导体层之间。

2.如权利要求1所述的复合型电容，其中该贯通孔电容的该正极层的材料包括铝、钽、铌或一氧化铌。

3.如权利要求1所述的复合型电容，其中该贯通孔电容的该第一介电层包括延伸至该贯通孔以外的该基板表面。

4.如权利要求1所述的复合型电容，其中该贯通孔电容的该第一负极层的材料包括有机半导体、无机半导体或有机-无机混合导电材料。

5.如权利要求4所述的复合型电容，其中该无机半导体包括二氧化锰。

6.如权利要求4所述的复合型电容，其中该有机半导体包括电荷转移错盐或导电高分子。

7.如权利要求6所述的复合型电容，其中该导电高分子包括聚吡咯、聚噻吩或聚苯胺。

8.如权利要求6所述的复合型电容，其中该第一负极层的材料包括单一导电高分子材料或混合的两种导电高分子材料。

9.如权利要求1所述的复合型电容，其中该贯通孔电容的该第一负极层包括多层结构。

10.如权利要求1所述的复合型电容，其中该贯通孔电容的该第二负极层包括含碳与金属的复合层。

11.如权利要求10所述的复合型电容，其中该复合层中的金属包括银、铜、金或镍。

12.如权利要求1所述的复合型电容，其中该贯通孔电容的该第二负极层包括纯金属层。

13.如权利要求1所述的复合型电容，其中该贯通孔电容的该第二负极层包括填满该贯通孔。

14.如权利要求1所述的复合型电容，其中该基板包括硅基板、有机基板或绝缘基板。

15.如权利要求1所述的复合型电容，其中该基板中的该贯通孔呈阵列排列。

16.如权利要求1所述的复合型电容，其中该平行板电容的该第二介电层的介电系数为1~2000。

17.如权利要求1所述的复合型电容，其中该平行板电容的该第二介电层的厚度为0.1μm~10μm。

18.如权利要求1所述的复合型电容，其中该平行板电容的该第二介电层的材料是自锆钛酸钡、钛酸锶钡、钛酸钡、含有Pb、Nb、W、Ca、Mg和Zn其中至少一种元素的钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅、多晶镧改性锆钛酸铅、铌酸铅及其衍生物、以及钨酸铅及其衍生物所组成的族群中选择的一种材料。

19.如权利要求1所述的复合型电容，其中该第一导体层或该第二导体层和该正极层为相同的导电材料。

20.如权利要求1所述的复合型电容，其中该第一导体层或该第二导体层和该第二负极层的金属为相同的导电材料。

21.如权利要求1所述的复合型电容，其中该基板包括金属基板。

22.如权利要求21所述的复合型电容，其中该金属基板的一部分作为该平行板电容的该第一导体层。

23.如权利要求21所述的复合型电容，其中该金属基板的一部分作为该贯通孔电容的该正极层。

24.如权利要求1所述的复合型电容，其中该平行板电容的形状包括六角形、圆形、方形或环形。