[发明专利]半导体器件和形成功率MOSFET的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供基板，该基板包括源区域和相邻漏区域；

在源和漏区域上方形成硅化物层；

在硅化物层上方形成第一互连层，第一互连层包括连接到源区域的第一导板以及连接到漏区域的第二导板；

将导电层形成在第一互连层上方并且电连接到第一互连层；

在基板上方布置掩模，掩模中的开口在导电层上方对准；以及

在开口中沉积导电材料以形成互连。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在第一互连层上方形成第二互连层，第二互连层具有彼此平行并且与第一和第二导板正交的第三导板和第四导板。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

将源区域形成为延伸跨过基板的条带；以及

将漏区域形成为延伸跨过基板并且平行于源区域的条带。

4.如权利要求1所述的方法，其中第一和第二导板为矩形形状、十字形状(+)、L形状(L)或T形状(T)。

5.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供基板；

在基板上形成具有硅化物层的晶体管；

将第一互连层形成在晶体管上方并且连接到晶体管；

将导电层形成在第一互连层上方并且连接到第一互连层；

在基板上方布置掩模，掩模中的开口在导电层上方对准；以及

在开口中沉积导电材料以形成互连。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

将该晶体管形成为具有源区域和相邻漏区域；以及

在源和漏区域上方形成硅化物层。

7.如权利要求5所述的方法，进一步包括使该第一互连层形成为具有彼此平行的第一导板和第二导板。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括在第一互连层上方形成第二互连层，第二互连层具有彼此平行并且与第一和第二导板正交的第三导板和第四导板。

9.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

将源区域形成为延伸跨过基板的条带；以及

将漏区域形成为延伸跨过基板并且平行于源区域的条带。

10.如权利要求5所述的方法，其中第一互连层为矩形形状、十字形状(+)、L形状(L)或T形状(T)。

11.一种半导体器件，包括：

基板，其包括源区域和相邻漏区域；

硅化物层，其布置在源和漏区域上方；

第一互连层，其形成于硅化物层上方，第一互连层包括连接到源区域的第一导板以及连接到漏区域的第二导板；

导电层，其形成于第一互连层上方并且电连接到第一互连层；以及

互连，其电连接到导电层，互连具有由掩模开口的体积确定的导电材料的体积。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中第一导板和第二导板是彼此平行的并且正交于源和漏区域。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中第二互连层形成于第一互连层上方，第二互连层具有彼此平行并且与第一和第二导板正交的第三导板和第四导板。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其中：

源区域形成为延伸跨过基板的条带；以及

漏区域形成为延伸跨过基板并且平行于源区域的条带。

15.如权利要求11所述的半导体器件，其中第一和第二导板为矩形形状、十字形状(+)、L形状(L)或T形状(T)。