[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

在半导体基板中的下互连，所述下互连由不同于所述半导体基板的材料制成；

在所述下互连上的选择元件；以及

在所述选择元件上的存储元件。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述下互连包括金属材料。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述选择元件的面向所述下互连的表面是非平面的。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述选择元件的面向所述下互连的所述表面是倾斜的。

5.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述下互连直接接触所述选择元件的面向所述下互连的所述表面的整体。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述选择元件包括半导体柱。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中所述半导体柱包括第一导电类型的上杂质区以及第二导电类型的下杂质区。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中所述下杂质区包括重掺杂杂质区以及在所述重掺杂杂质区和所述上杂质区之间的轻掺杂杂质区。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述下互连包括金属材料。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中所述半导体柱的所述重掺杂杂质区直接接触所述下互连。

11.根据权利要求6所述的存储器件，其中所述下互连包括接触所述半导体柱的第一部分以及从所述第一部分延伸的第二部分，所述第一部分的厚度不同于所述第二部分的至少一部分的厚度。

12.根据权利要求11所述的存储器件，其中所述第二部分的所述至少一部分比所述第一部分厚。

13.根据权利要求11所述的存储器件，还包括在所述半导体柱的侧壁上的绝缘侧壁间隔物，其中所述第二部分的至少一部分在相邻的侧壁间隔物之间向上延伸。

14.根据权利要求6所述的存储器件，其中所述半导体基板包括具有所述存储元件的第一区以及第二区，其中所述半导体柱的顶表面与所述第二区的所述半导体基板的顶表面共面。

15.根据权利要求1所述的存储器件，其中每个所述下互连包括接触所述选择元件的第一部分以及在相邻的第一部分之间的第二部分，所述第一部分的厚度不同于所述第二部分的至少一部分的厚度。

16.根据权利要求15所述的存储器件，其中所述第二部分的所述至少一部分比所述第一部分厚。

17.根据权利要求16所述的存储器件，其中所述第二部分的所述至少一部分包括空隙。

18.根据权利要求17所述的存储器件，还包括填充所述空隙的另一导电材料。

19.根据权利要求15所述的存储器件，其中所述第二部分的底表面是三角形。

20.根据权利要求15所述的存储器件，其中所述第二部分的顶表面和底表面是圆化的。

21.根据权利要求15所述的存储器件，其中所述第二部分的顶表面和底表面相对于中心平坦部分倾斜。

22.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述存储元件采用可变电阻器。

23.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述选择元件是二极管。

24.根据权利要求23所述的存储器件，其中所述二极管是PN二极管。