[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其特征在于：所述发光二极管进一步包括一金属陶瓷层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并与该表面接触。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属陶瓷层的折射率为一复数，且该复数的虚部大于或者小于零，且金属等离子体产生层的材料的介质常数为一复数，且该复数的实部为一个负数。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属陶瓷层为金属材料和电介质材料构成的复合材料层。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述金属材料为金、银、铝、铜、金银合金、金铝合金或银铝合金。

5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述电介质材料包括二氧化硅、硅以及陶瓷材料中的一种。

6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述金属陶瓷层中所述电介质材料所占的质量百分比小于等于40%。

7.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述金属陶瓷层的成分包括二氧化硅和银。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述金属陶瓷层中所述二氧化硅所占的质量百分比为20%。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属陶瓷层的厚度为大于等于50纳米。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层的厚度为5纳米至20纳米。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括一保护层设置于所述金属陶瓷层与所述第二半导体层之间。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构设置于所述第一半导体层、活性层、第二半导体层或金属陶瓷层的远离基底的表面。

13.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构并排延伸，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

14.如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。

15.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层的材料为二氧化硅、氟化镁或氟化锂。

16.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层的厚度为5纳米至40纳米。

17.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层的折射率的范围为1.2至1.5。