[发明专利]一种白光LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种白光LED芯片，包括：

第一衬底；

发光元件，所述发光元件位于所述第一衬底上；

表面荧光体层，覆盖于所述发光元件上，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。

2.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述表面荧光体层的材质为单结晶体、多结晶体或由荧光体粉末烧结呈的块状荧光体。

3.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述表面荧光体层的材质为黄色荧光体、黄色荧光体与绿色荧光体、黄色荧光体与红色荧光体、或黄色荧光体、绿色荧光体与红色荧光体三者的组合。

4.如权利要求3所述的白光LED芯片，其特征在于，所述黄色荧光体的材质为镧系元素掺杂的铝酸盐荧光体，所述绿色荧光体的材质为卤代硅酸盐，所述红色荧光体的材质为氮化物荧光体。

5.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述表面荧光体层的厚度为20μm～50μm。

6.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片为倒装结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括P型层、发光层、N型层、缓冲层和第二衬底，所述第二衬底为发光面，所述发光元件还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述P型层和所述第一衬底之间，所述第二电极位于所述P型层和所述第一衬底之间；所述白光LED芯片还包括导电层，所述第一电极和第二电极通过所述导电层焊接于所述第一衬底。

7.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片为垂直结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括第一电极、P型层、发光层和N型层和第二电极，所述N型层为发光面；在所述发光元件和所述第一衬底之间，所述LED芯片还包括导电层和金属反射层，所述金属反射层形成于所述第一衬底和所述第一电极之间，所述导电层形成于第一衬底的金属反射层所在面的相对面上，所述表面荧光体层在所述第一电极上形成有开口。

8.如权利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片为平面结构，所述发光元件由第一衬底向上依次包括N型层、发光层和P型层，所述P型层为发光面，所述白光LED芯片还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述P型层上，所述第二电极位于所述N型层上；所述表面荧光体层在所述第一电极和第二电极上均形成有开口。

9.如权利要求1至8中任意一项所述的白光LED芯片，其特征在于，所述发光元件激发紫外光或蓝紫光。

10.如权利要求1至8中任意一项所述的白光LED芯片，其特征在于，所述白光LED芯片还可以包含钝化层，所述钝化层位于所述发光元件和所述表面荧光体层之间。

11.一种白光LED芯片的制造方法，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成发光元件；

在所述发光元件上覆盖表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。

12.如权利要求11所述的白光LED芯片的制造方法，其特征在于，所述表面荧光体层的采用磁控溅射法形成，反应在氩气环境氛围中，反应功率大于5kW，反应靶材与所述第一衬底之间距离为5cm～10cm，环境压力为30～60mTorr，沉积时间为150s～250s。

13.如权利要求11所述的白光LED芯片的制造方法，其特征在于，所述表面荧光体层的材质为单结晶体、多结晶体或由荧光体粉末烧结呈的块状荧光体。

14.如权利要求11所述的白光LED芯片，其特征在于，所述表面荧光体层的材质为黄色荧光体、黄色荧光体与绿色荧光体、黄色荧光体与红色荧光体、或黄色荧光体、绿色荧光体与红色荧光体三者的组合。

15.如权利要求14所述的白光LED芯片的制造方法，其特征在于，所述黄色荧光体的材质为镧系元素掺杂的铝酸盐荧光体，所述绿色荧光体的材质为卤代硅酸盐，所述红色荧光体的材质为氮化物荧光体。

16.如权利要求11所述的白光LED芯片的制造方法，其特征在于，所述表面荧光体层的厚度为20μm～50μm。