[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置有效
申请号: | 201210181500.0 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102694131A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 杨栋芳;肖田 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 以及 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于有机光电技术领域,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光器件:Organic Light-Emitting Device,简称OLED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点,使其具有广阔的应用前景。
如图1所示,现有的OLED的结构通常包括衬底1、阳极层2、阴极层10以及设置在阳极层2和阴极层10之间的有机功能层,所述有机功能层依次包括空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、空穴与激子阻挡层7、电子传输层8、以及电子注入层9。其中,空穴注入层3与阳极层2相邻,电子注入层9与阴极层10相邻。
OLED的发光机理为:当阳极层2和阴极层10之间施加有电压时,在外界电压的驱动下,由阳极层2注入的空穴通过空穴注入层3和空穴传输层4进入发光层6中,由阴极层10注入的电子通过电子注入层9和电子传输层8进入发光层6中,进入到发光层6中的空穴和电子在复合区复合形成激子,激子辐射跃迁发光而产生发光现象,即形成电致发光。
由于空穴和电子具有不同的迁移率,复合区一般位于发光层中,与电子传输层的交界面附近。激子形成后,向该交界面的两侧扩散,一部分激子会扩散到未掺杂发光材料的区域,然后衰减,从而发生无辐射跃迁。
为了充分利用电子载流子和空穴载流子复合释放的能量,提高OLED中载流子利用效率,从而提高有机电致发光器件的发光效率,是目前有机光电技术领域亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种有机电致发光器件以及制备方法以及显示装置,该有机电致发光器件能够有效提高载流子的利用效率,从而提高有机电致发光器件的发光效率。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该有机电致发光器件包括衬底、阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层,所述有机功能层包括发光层,其中,所述发光层包括三个依次相邻的子发光层,即靠近阳极层的第一子发光层、第二子发光层和靠近阴极层的第三子发光层。
优选的是,所述三个子发光层均采用基质材料掺杂发光材料制成;其中所述第二子发光层的基质材料采用混合基质材料,该混合基质材料由具有空穴传输能力的基质材料和具有电子传输能力的基质材料混合而成,所述第一子发光层中的基质材料采用具有空穴传输能力的基质材料,所述第三子发光层中的基质材料采用具有电子传输能力的基质材料。
优选的是,所述第一子发光层的基质材料的HOMO的位置比所述第三子发光层的基质材料的HOMO的位置高0.2ev或以上,所述第一子发光层的基质材料的LUMO的位置比所述第三子发光层的基质材料的LUMO的位置高0.2ev或以上。
进一步优选的是,所述第二子发光层的混合基质材料中,具有空穴传输能力的基质材料采用与所述第一子发光层中的基质材料相同的基质材料,具有电子传输能力的基质材料采用与所述第三子发光层中的基质材料相同的基质材料。
更进一步优选的是,所述第二子发光层的混合基质材料中,具有空穴传输能力的基质材料与具有电子传输能力的基质材料的混合比例范围为1:9-9:1。
优选的是,所述第一子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有空穴传输能力的基质材料采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物或三芳胺聚合物;所述第三子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有电子传输能力的基质材料采用金属配合物、咔唑类衍生物、咪唑类衍生物、邻菲罗林衍生物或蒽的衍生物;所述第一子发光层、所述第二子发光层和所述第三子发光层中的发光材料采用基于Ir、Pt、Ru、Cu的磷光材料。
更优选的是,所述第一子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有空穴传输能力的基质材料采用:9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、TAZ、CBP、MCP、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1(NPB);所述第三子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有电子传输能力的基质材料采用:8-羟基喹啉铝(Alq3)、8-羟基喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基-2-笨并咪唑-2)苯(TPBI)、BCP或Bphen。
优选的是,所述发光层的厚度范围为3-300nm,所述第一子发光层、所述第二子发光层以及所述第三子发光层的厚度范围为1-100nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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