[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置有效
申请号: | 201210181500.0 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102694131A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 杨栋芳;肖田 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括衬底、阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层,所述有机功能层包括发光层,其特征在于,所述发光层包括三个依次相邻的子发光层,即靠近阳极层的第一子发光层、第二子发光层和靠近阴极层的第三子发光层。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述三个子发光层均采用基质材料掺杂发光材料制成;
其中,所述第二子发光层的基质材料采用混合基质材料,该混合基质材料由具有空穴传输能力的基质材料和具有电子传输能力的基质材料混合而成,所述第一子发光层中的基质材料采用具有空穴传输能力的基质材料,所述第三子发光层中的基质材料采用具有电子传输能力的基质材料。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一子发光层的基质材料的HOMO的位置比所述第三子发光层的基质材料的HOMO的位置高0.2ev或以上,所述第一子发光层的基质材料的LUMO的位置比所述第三子发光层的基质材料的LUMO的位置高0.2ev或以上。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二子发光层的混合基质材料中,具有空穴传输能力的基质材料采用与所述第一子发光层中的基质材料相同的基质材料,具有电子传输能力的基质材料采用与所述第三子发光层中的基质材料相同的基质材料。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二子发光层的混合基质材料中,具有空穴传输能力的基质材料与具有电子传输能力的基质材料的混合比例范围为1:9-9:1。
6.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有空穴传输能力的基质材料采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物或三芳胺聚合物;所述第三子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有电子传输能力的基质材料采用金属配合物、咔唑类衍生物、咪唑类衍生物、邻菲罗林衍生物或蒽的衍生物;所述第一子发光层、所述第二子发光层和所述第三子发光层中的发光材料采用基于Ir、Pt、Ru、Cu的磷光材料。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有空穴传输能力的基质材料采用:9,10-二-(2-萘基)蒽、TAZ、CBP、MCP、TCTA或NPB;所述第三子发光层中的基质材料以及所述第二子发光层中具有电子传输能力的基质材料采用:8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉锂、1,3,5-三(N-苯基-2-笨并咪唑-2)苯、BCP或Bphen。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的厚度范围为3-300nm,所述第一子发光层、所述第二子发光层以及所述第三子发光层的厚度范围为1-100nm。
9.根据权利要求1-8任一所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机功能层中还包括有空穴传输层和电子传输层,所述空穴传输层位于与所述第一子发光层相邻且靠近阳极的一侧,所述电子传输层位于与所述第三子发光层相邻且靠近阴极的一侧,其中,空穴传输层的能级与所述第一子发光层的基质材料的能级相匹配;所述电子传输层的能级与所述第三子发光层的基质材料的能级相匹配。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的HOMO的位置比所述第一子发光层的基质材料的HOMO的位置高0.5ev及以下,所述电子传输层的LUMO的位置比所述第三发光层的基质材料的LUMO的位置低0.5ev及以下。
11.根据权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层包括两个或两个以上的子空穴传输层,所述子空穴传输层至少包括第一空穴传输层和第二空穴传输层,所述第二空穴传输层与所述第一子发光层相邻,所述第二空穴传输层的HOMO的位置比所述第一子发光层的基质材料的HOMO的位置高0.2ev及以下。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-11任一所述的电致发光器件。
13.一种有机电致发光器件的制备方法,包括制作发光层的步骤,其特征在于,所述发光层的制作步骤包括:
1)制作第一子发光层,所述第一子发光层由具有空穴传输能力的基质材料掺杂发光材料制成;
2)在第一子发光层上制作第二子发光层,所述第二子发光层由具有空穴传输能力的基质材料和具有电子传输能力的基质材料混合并掺杂发光材料制成;
3)在第二子发光层上制作第三子发光层,所述第三子发光层由具有电子传输能力的基质材料掺杂发光材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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