[发明专利]利用雷射照光形成线路的方法无效

专利信息
申请号: 201210177909.5 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN103458618A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 何建汉;黄华民 申请(专利权)人: 新研创股份有限公司
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;G03F7/00;G03F7/20
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 刘俊
地址: 中国台湾桃园县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 利用 雷射 形成 线路 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种雷射照光形成线路的方法,尤其是以雷射对光敏材料层进行图案化曝光,曝光后的光敏材料能吸附纳米金属粒子而形成金属线路层。

背景技术

现有技术在基板上形成线路的印刷方法,可以分为减除法及加成法,减除法是利用微影技术或是屏蔽方式,将基材上的金属膜蚀刻去除,而形成线路,进一步需要剥除光阻剂,由于需要电镀、化学蚀刻、化学剥除、清洗等,伴随着大量化学废液的产生,当这些化学废液没有适当的处理而排出,会对于环境产生严重的污染。加成法是在基板上,在预形成线路的部分直接进行铜或其它金属的沉积,例如蒸镀、溅镀、或是化学气体沉积等,然而机台的成本较高、制程条件及环境要求较为严格、机台所占用的空间较大,因此成本较高,且机台的状态明显影响产品的质量,而需要严密的管控。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种利用雷射照光形成线路的方法,该方法包含光敏材料涂布步骤、雷射曝光步骤以及金属线路形成步骤,在光敏材料涂布步骤中,将一光敏材料涂布于基板之上,而形成一光敏材料层,雷射曝光步骤是将具有光敏材料层的基板设置于雷射曝光机中,对于光敏材料层以图案化的方式进行雷射曝光,本发明所使用的光敏材料是TDB01(含硫酚偶氮苯衍化物),且所对应的雷射光波长是在紫外光的区段,受到使得曝光区域的TDB01分子结构受到改变为反式异构物的长直状结构,而未曝光区域的TDB01分子维持顺式异构物为弯曲状结构。

金属线路形成步骤,将具有曝光区域及未曝光区域的基板放入于纳米导电金属溶液中,该纳米导电金属溶液包含多个纳米金属粒子,曝光区域的光敏材料由于其长直状的反式异构物结构而容易使纳米金属粒子吸附在曝光区域的光敏材料上,而在光敏材料上形成金属线路层。

本发明的特点在于藉由以雷射照光的方式,对于光敏材料进行图案化曝光,使曝光后的光敏材料吸附金属粒子,而形成金属线路层。藉由雷射光高功率、高密度、高指向性及单色性的优点,从而能够有效控制产品的质量。另外,以曝光后形成长直状分子结构的光敏材料吸附金属粒子,有效地减少现有技术上产生的大量废液,而更符合现今的环保概念。

附图说明

图1为本发明利用雷射照光形成线路的方法的流程图;

图2A~图2D为本发明利用雷射照光形成线路的方法的结构示意图。

主要组件符号说明

10  基板

20  光敏材料层

31  曝光区域

33  未曝光区域

40  纳米导电金属溶液

45  纳米金属粒子

50  金属线路层

S1  雷射照光形成线路的方法

S11 光敏材料涂布步骤

S13 雷射曝光步骤

S15 金属线路形成步骤

具体实施方式

以下配合图式及组件符号对本发明的实施方式做更详细的说明,以使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。

参考图1及图2A至图2D,分别为本发明利用雷射照光形成线路的方法的流程图,以及本发明利用雷射照光形成线路的方法的结构示意图。如图1所示,本发明利用雷射照光形成线路的方法S1包含光敏材料涂布步骤S11、雷射曝光步骤S13以及金属线路形成步骤S15,在光敏材料涂布步骤S11中,如图2A所示,将一光敏材料涂布于基板10之上,而形成一光敏材料层20,雷射曝光步骤S13是将具有光敏材料层20的基板10设置于雷射曝光机中,对于光敏材料层20以图案化的方式进行雷射曝光,再图案化曝光后,光敏材料层20转变为如图2B所示的曝光区域31与未曝光区域33,曝光区域31的光敏材料分子结构受到改变为长直状的结构,而未曝光区域33的光敏材料分子结构为弯曲状。

金属线路形成步骤S15如图2C及图2D所示,将具有曝光区域31及未曝光区域33的基板10放入于一纳米导电金属溶液40中,该纳米导电金属溶液40包含多个纳米金属粒子45,曝光区域31的光敏材料由于其长直状的结构而容易吸附纳米金属粒子45,使得将基板10取出经过清洗烘干等步骤之后,纳米金属粒子45吸附在曝光区域31的光敏材料上,而在光敏材料上形成金属线路层50。

本发明所使用的光敏材料可以至少包含TDB01(含硫酚偶氮苯衍化物),所使用的雷射波长范围是在紫外光的波长范围。

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