[发明专利]天线单元、基板处理装置和基板处理方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求2011年5月31日提交的韩国专利申请第10-2011-0052429号和2011年8月19日提交的韩国专利申请第10-2011-0082679号的优先权，因此将这两个韩国专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更加具体地，涉及通过使用等离子体对基板进行处理的装置。

背景技术

等离子体是在非常高的温度下生成的或者是由强的电场或射频（RF）电磁场生成的，并且表现为由离子、电子或自由基形成的离子化气体状态。在半导体器件制造过程中，通过使用等离子体来进行蚀刻加工。通过让等离子体中所包含的离子粒子与基板碰撞来实现上述蚀刻加工。

天线可以向处理气体（process gas）施加高频电从而将处理气体激发为等离子体状态。典型的天线具有固定的形状并且是两侧对称的。理论上，这样的天线生成的等离子体具有沿着该天线径向的对称密度分布。然而，由于各种原因，等离子体的密度分布实际上是不对称的。这样的等离子体不对称密度分布可能导致不均匀的基板处理加工。

[专利文献]：韩国专利申请第10-2011-0046354号。

发明内容

本发明提供了用于均匀地处理基板的装置和方法。

本发明的实施例提供了一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部空间；基板支撑部，所述基板支撑部布置于所述处理腔室内并且支撑着基板；气体供给部，所述气体供给部将处理气体提供到所述处理腔室内；天线，所述天线被配置用来将高频电提供到所述处理腔室内从而激发所述处理腔室内的所述处理气体；以及驱动部，所述驱动部改变所述天线的尺寸。

在一些实施例中，所述天线可以包括：多个天线框架，所述多个天线框架相互间隔开；以及多个连接件，所述多个连接件将相邻的所述天线框架相互连接。此外，所述驱动部可以被设置为多个，它们分别与所述多个天线框架相连，且所述多个驱动部分别移动所述多个天线框架。

在其它实施例中，所述多个天线框架可以排列起来形成环形，并且所述多个驱动部可以分别使所述多个天线框架沿着所述环形的径向移动。

在另一些实施例中，所述多个天线框架每一者可以为圆弧形。

在另一些实施例中，所述多个连接件可以根据所述多个天线框架的移动而被伸展或收缩。

在另一些实施例中，所述多个连接件每一者都可以包括：第一框架，所述第一框架连接至一个所述天线框架；第二框架，所述第二框架连接至另一个所述天线框架，该另一个所述天线框架与连接至所述第一框架的那个所述天线框架是相邻的；以及第三框架，所述第三框架将所述第一框架与所述第二框架相互连接，并且所述第三框架为圆弧形。

在另一些实施例中，所述天线可以包括：第一天线；以及第二天线，所述第二天线与所述第一天线是间隔开的，且所述第二天线围绕着所述第一天线。此外，所述驱动部可以被设置为多个，它们分别改变所述第一天线的尺寸和所述第二天线的尺寸。

在另一些实施例中，所述第一天线可以包括：多个第一天线框架，所述多个第一天线框架排列起来形成第一环形；以及多个第一连接件，所述多个第一连接件将相邻的所述第一天线框架相互连接。所述第二天线可以包括：多个第二天线框架，所述多个第二天线框架排列起来形成第二环形，所述第二环形的半径大于所述第一环形的半径；以及多个第二连接件，所述多个第二连接件将相邻的所述第二天线框架相互连接。此外，所述驱动部可以包括：第一驱动部，所述第一驱动部使所述第一天线框架沿着所述第一环形的径向移动；和多个第二驱动部，所述多个第二驱动部分别使所述多个第二天线框架沿着所述第二环形的径向移动。

在另一些实施例中，所述第一驱动部可以包括：第一传动杆，所述第一传动杆布置于所述第一天线的中心并且垂直延伸；多个第一连接杆，所述多个第一连接杆分别将所述多个第一天线框架连接至所述第一传动杆；以及第一驱动器，所述第一驱动器使得所述第一传动杆绕着与所述第一传动杆的纵长方向平行的轴线旋转预定的角度。

在另一些实施例中，所述第二驱动器可以包括：多个第二传动杆，所述多个第二传动杆分别与所述多个第二天线框架相连，并且所述多个第二传动杆的纵长方向是所述第二环形的径向；以及多个第二驱动器，所述多个第二驱动器分别与所述多个第二传动杆相连，并且所述多个第二驱动器使所述多个第二传动杆沿着所述第二环形的径向移动。