[发明专利]单脉冲高压电平位移及上管驱动电路及其控制方法

权利要求书

1.根据权利要求1所述的单脉冲高压电平位移及上管驱动电路，其特征在于，包括：

电压控制脉冲发生器，用于通过接收上管驱动输入信号而产生输出信号电路脉冲；

高压电平位移支路，用于通过接收输出信号电路脉冲而产生驱动电压；

上管高压驱动器，用于通过接收驱动电压而产生驱动上管工作的门极驱动信号。

2.根据权利要求1所述的单脉冲高压电平位移及上管驱动电路，其特征在于，所述电压控制脉冲发生器由开关PMOS管、电流源和第一电流镜构成，其中：上管驱动输入信号连接至开关PMOS管的栅极，开关PMOS管的源漏极分别连接至电流源的一端和第一电流镜的一端，电流源的另一端连接所述供电电压，第一电流镜的另一端连接至高压电平位移支路输入端。

3.根据权利要求1所述的单脉冲高压电平位移及上管驱动电路，其特征在于，高压电平位移支路由高压功率管、第十四晶体管、第二电流镜及第一电阻构成，其中：高压功率管的第一端为高压电平位移支路输入端，其第二端连接至参考电压，其第三端与第十四晶体管的漏极和第二电流镜的第一端连接，第十四晶体管的源极与第二电流镜的第二端连接至正供电电压，第十四晶体管的栅极接受上管高压驱动器中消隐器的输出，第二电流镜的第三端连接到第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接到半桥输出点，所述半桥输出点与浮地连接。

4.根据权利要求3所述的单脉冲高压电平位移及上管驱动电路，其特征在于，上管高压驱动器由滤波器、消隐器和至少三级级联的奇数级反相器构成，所述三级级联的奇数级反相器由第一级反相器，第二级反相器和第三级反相器构成；

滤波器连接在第一级反相器的输入和半桥输出点之间；

消隐器的第一端与第二级反相器的输入连接，其第二端与半桥输出点连接，其第三端与第二级反相器的输出连接，其第四端与第十四晶体管的栅极连接，其第五端与第二电流镜的第二端连接。

5.根据权利要求4所述的单脉冲高压电平位移及上管驱动电路，其特征在于，所述级联的奇数级反相器由第一级反相器，第二级反相器、第三级反相器、第四级反相器和第五级反相器构成，第一级反相器包括第四晶体管和第五晶体管，第四晶体管的栅极和第五晶体管的栅极连接为第一级反相器的输入、第四晶体管的漏极和第五晶体管的漏极连接为第一级反相器的输出；第二反相器包括第六晶体管和第七晶体管，第六晶体管的栅极和第七晶体管的栅极连接为第二级反相器的输入、第六晶体管的漏极和第七晶体管的漏极连接为第二级反相器的输出；第三级反相器包括第八晶体管和第九晶体管，第八晶体管的栅极和第九晶体管的栅极连接为第三级反相器的输入、第八晶体管的漏极和第九晶体管的漏极连接为第三级反相器的输出；第四级反相器包括第十晶体管和第十一晶体管，第十晶体管的栅极和第十一晶体管的栅极连接为第四级反相器的输入、第十晶体管的漏极和第十一晶体管的漏极连接为第四级反相器的输入和输出；第五级反相器包括第十二晶体管和第十三晶体管，第十二晶体管的栅极和第十三晶体管的栅极连接为第五级反相器的输入、第十二晶体管的漏极和第十三晶体管的漏极连接为第五级反相器的输出；各级反相器通过其输出与下级反相器的输入连接，其中，第二电流镜的第三端连接至第一级反相器的输入，第五级反相器的输出为上管高压驱动器的输出并连接至上管门极驱动输入端，第四晶体管的源极、第六晶体管的源极、第八晶体管的源极、第十晶体管的源极和第十二晶体管的源极相连接至正供电电压，第五晶体管的源极、第七晶体管的源极、第九晶体管的源极、第十一晶体管的源极和第十三晶体管的源极相连接至浮地。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的单脉冲高压电平位移及上管驱动电路，其特征在于，所述第二电流镜由第二晶体管和第三晶体管构成；其中，第二晶体管的栅极连接至第三晶体管的栅极，且与第二电流镜的第一端连接；所述第二电流镜的第一端为漏极，其第二端为源极，其第三端为第三晶体管的漏极。

7.根据权利要求4所述的单脉冲高压电平位移及上管驱动电路，其特征在于，消隐器由第二电阻、第一电容和二输入与非门构成，其中，第二电阻的一端为消隐器的第一端，第二电阻的另一端分别连接至二输入与非门的第一端和第一电容上极板，二输入与非门的第二端为消隐器的第二端，二输入与非门的第三端为消隐器的第三端，二输入与非门的第四端为消隐器的第四端，二输入与非门的第五端为消隐器的第五端。