[发明专利]光敏化合物梯度光刻胶

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及光敏化合物梯度光刻胶。

背景技术

通常，通过首先在晶片或管芯的上方涂覆光刻胶来对诸如堆叠封装（POP）的封装内的晶片或管芯制造电接触。然后，光刻胶可以被平面化以露出晶片或管芯期望制造接触的部分。可以通过将光刻胶暴露给诸如光的辐射来执行图样化，以激活可组成光刻胶的一种成分的光敏化合物。然后，正显影剂或负显影剂可用于去除露出的光刻胶（适用于负显影剂）或者去除未露出的光刻胶（适用于正显影剂）。

一旦光刻胶被显影和图样化，就可以通过在图样化的光刻胶中形成导电材料以制造电连接，以形成针对露出的晶片或管芯的电连接。导电材料可以通过首先在光刻胶的上方并沿着图样化光刻胶的侧壁涂覆晶种层来形成。然后，可以在电镀工艺中使用晶种层以将导电材料电镀到图样化光刻胶的上方及其中，从而向下面的晶片或管芯提供期望的电连接。

然而，由于晶种层被用于形成导电材料，所以如果发生关于晶种层的阶梯覆盖的间隙或其他问题，则会产生问题。如果执行溅射来形成晶种层且光刻胶具有垂直侧壁，则尤其沿着光刻胶的侧壁普遍存在这些阶梯。这件间隙又会引起间隙、不平坦电镀或其他问题的发生，同时晶种层被用作用于导电材料后续电镀的引发物。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；以及光刻胶，位于衬底的上方，光刻胶包括光敏化合物，光敏化合物随着光刻胶远离衬底延伸而具有浓度梯度。

其中，衬底进一步包括：第一半导体衬底；以及管芯，位于第一半导体衬底的上方。

其中，光刻胶进一步包括：第一光刻胶层，具有第一浓度的光敏化合物；以及第二光刻胶层，具有第二浓度的光敏化合物，第二浓度小于第一浓度。

其中，第一浓度是达到预期临界程度的浓度。

其中，光刻胶进一步包括：第三光刻胶层，具有第三浓度的光敏化合物，第三浓度小于第二浓度；以及第四光刻胶层，具有第四浓度的光敏化合物，第四浓度小于第三浓度。

其中，浓度梯度随着光刻胶远离衬底延伸而具有减小的浓度。

该半导体器件还包括穿过光刻胶的开口，开口具有楔形侧壁。

其中，浓度梯度具有阶梯状。

此外，一种半导体器件，包括：第一衬底和位于第一衬底上方的第二衬底；光刻胶，位于第一衬底和第二衬底上方，光刻胶具有与衬底相邻的第一浓度的光敏化合物以及位于从第一衬底去除的点处的第二浓度的光敏化合物，第二浓度小于第一浓度；第一接触件，延伸穿过光刻胶并且与第一衬底电连接，第一接触具有第一楔形侧壁；以及第二接触件，延伸穿过光刻胶并且与第二衬底电连接，第二接触具有第二楔形侧壁。

其中，第一衬底是半导体衬底，第二衬底为半导体管芯。

其中，在第一浓度和第二浓度之间呈阶梯状。

其中，光刻胶为干膜光刻胶。

其中，干膜光刻胶进一步包括：第一层，具有第一浓度的光敏化合物，第一层与第一衬底相邻；以及第二层，具有第二浓度的光敏化合物，其中，第二层位于第一层上方，并且第二浓度小于第一浓度。

该半导体器件还包括：第三层，具有第三浓度的光敏化合物，其中，第三层位于第二层上方，并且第三浓度小于第二浓度；以及第四层，具有第四浓度的光敏化合物，其中，第四层位于第三层上方，并且第四浓度小于第三浓度。

此外，一种形成半导体器件的方法，方法包括：在衬底的上方放置第一光刻胶层，第一光刻胶层具有第一浓度的光敏化合物；在第一光刻胶层的上方放置第二光刻胶层，第二光刻胶层具有第二浓度的光敏化合物，第二浓度不同于第一浓度；以及图样化第一光刻胶层和第二光刻胶层，以形成穿过第一光刻胶层和第二光刻胶层的第一开口。

其中，衬底进一步包括第一晶片和第一管芯，第一管芯连接至第一晶片。

该方法，还包括：在第二光刻胶层的上方放置第三光刻胶层，第三光刻胶层具有第三浓度的光敏化合物，第三浓度小于第二浓度。

该方法，还包括：在衬底的上方放置第一光刻胶层之前，将第一光刻胶层形成为具有第一浓度的光敏化合物的第一干膜光刻胶；以及在第一光刻胶层的上方放置第二光刻胶层之前，将第二光刻胶层形成为具有第二浓度的光敏化合物的第二干膜光刻胶。

第二浓度小于第一浓度。

该方法还包括：在第一开口内沉积晶种层；以及在第一开口中形成导电材料。

附图说明

为了更好地理解实施例及其优点，现在结合附图进行以下描述，其中：