[发明专利]一种形成肖特基接触的方法及肖特基结构

权利要求书

1.一种形成肖特基接触的方法，其特征在于，该方法包括：

在半导体晶圆表面积淀势垒金属层之后，采用温度值在790摄氏度至850摄氏度之间的退火温度进行一次退火；

形成金属引线层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行退火后，形成金属引线层之前，该方法进一步包括：

去除半导体晶圆上未反应的势垒金属。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在半导体晶圆表面积淀势垒金属层前，该方法进一步包括：

对半导体晶圆表面进行清洗。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆的材质为硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述势垒金属层的材质为钛。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对半导体晶圆表面进行清洗为将半导体晶圆浸泡至氢氟酸溶液中。

7.一种肖特基接触结构，其特征在于，所述肖特基结构通过上述权利要求1~6中任一权利要求所述的方法制作。