[发明专利]光学薄膜用粘合剂组合物、光学薄膜用粘合剂层有效

专利信息
申请号: 201210167356.5 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN102796475B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 保井淳;外山雄祐;木村智之;佐竹正之;后藤周作;喜多川丈治;宫武稔;森智博;上条卓史;藤原新 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J133/08 分类号: C09J133/08;C09J133/10;C09J133/14;C09J7/02;G02B5/30;G02F1/1335
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学薄膜 粘合剂 组合
【说明书】:

技术领域

本发明涉及光学薄膜用粘合剂组合物、以及利用该粘合剂组合物在光学薄膜的至少一面形成有粘合剂层的带粘合剂层光学薄膜。进而,本发明还涉及使用了前述带粘合剂层光学薄膜的液晶显示装置、有机EL显示装置、PDP等图像显示装置。作为前述光学薄膜,可以使用偏光薄膜、相位差薄膜、光学补偿薄膜、增亮膜、以及这些薄膜层叠而成的薄膜。

背景技术

由于液晶显示装置等的图像形成方式,在液晶单元的两侧配置偏振元件是必不可少的,一般贴合偏光薄膜。另外,液晶面板上除了偏光薄膜以外还使用用于提高显示器的显示质量的各种光学元件。例如,使用用于防止着色的相位差薄膜、用于改善液晶显示器的视场角的视场角扩大薄膜以及用于提高显示器的对比度的增亮膜等。这些薄膜统称为光学薄膜。

在将前述光学薄膜等光学部件贴合于液晶单元时,通常使用粘合剂。另外,在光学薄膜与液晶单元的粘接或光学薄膜之间的粘接中,为了减低光的损失,各材料通常使用粘合剂密合。在这种情况下,由于具有不需要用于固定光学薄膜的干燥工序等优点,因此,通常使用粘合剂预先以粘合剂层的形式设置在光学薄膜的一侧的带粘合剂层光学薄膜。在带粘合剂层光学薄膜的粘合剂层上通常贴附有脱模薄膜。

在制造液晶显示装置时,当将前述带粘合剂层光学薄膜贴附于液晶单元之际,将脱模薄膜从带粘合剂层光学薄膜的粘合剂层剥离,该脱模薄膜的剥离会产生静电。这样产生的静电会对液晶显示装置内部的液晶的取向产生影响,会导致不良情况。另外,在使用液晶显示装置时有时会由静电导致显示不均。静电的产生例如可以通过在光学薄膜的外表面形成抗静电层来抑制,但存在其效果甚微而无法从根本上防止静电产生的问题。因此,为了从根本上抑制产生静电情况的发生,要求赋予粘合剂层抗静电功能。作为赋予粘合剂层抗静电功能的手段,例如,提出了在用于形成粘合剂层的粘合剂中配混离子性化合物的方案(专利文献1、2)。另外,光学薄膜用粘合剂还要求粘接状态下的耐久性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平6-128539号公报

专利文献2:日本特表2007-536427号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1中,记载了利用配混有聚醚多元醇化合物和至少一种碱金属盐的丙烯酸系粘合剂来获得赋予了抗静电性的粘着带的方案。然而,在前述含有聚醚多元醇化合物的丙烯酸系粘合剂中,含有异氰酸酯系交联剂作为交联剂时,有该交联剂对粘合剂层的交联度产生大的影响的担心。因此,在专利文献1中,如其实施例所示,在形成粘合剂层时,采用了如下方法:首先,将丙烯酸系共聚物与异氰酸酯系交联剂交联,然后,再次使其溶解并在之后配混聚醚多元醇化合物和碱金属盐。如上所述,专利文献1的粘合剂层的形成是繁杂的,难以应用于实际的工序中。另外。专利文献1的粘合剂层的耐久性不足。

在专利文献2中,记载了利用在丙烯酸系共聚物中组合使用具有醚键的酯系增塑剂和碱金属盐而成的粘合剂组合物来形成的粘合剂层可以兼顾耐久性和抗静电功能。据记载,专利文献2所记载的粘合剂层具有在80℃下1000小时,在60℃、90%RH下1000小时的条件下的耐久性。然而,近年来,在移动用途中,需要粘合剂层在85℃下500小时,在60℃、95%RH下500小时的严酷条件下的耐久性,专利文献2的粘合剂层在前述严酷的条件下的耐久性不足。

本发明的目的在于,提供能够形成具有抗静电功能、且能满足严酷的条件下的耐久性的粘合剂层的光学薄膜用粘合剂组合物。

另外,本发明的目的还在于,提供具有由前述光学薄膜用粘合剂组合物形成的粘合剂层的带粘合剂层光学薄膜以及使用了前述带粘合剂层光学薄膜的图像显示装置。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决前述问题反复深入研究,结果发现了下述光学薄膜用粘合剂组合物,从而完成了本发明。

即,本发明涉及一种光学薄膜用粘合剂组合物,其特征在于,

含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)、聚醚化合物(B)和离子性化合物(C),

所述聚醚化合物(B)具有聚醚骨架,且至少一个末端具有下述通式(1)所表示的反应性甲硅烷基,

通式(1):-SiRaM3-a

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