[发明专利]一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 在N型硅片的正面和背面进行制绒；

(2) 在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；

(3) 在硅片上开孔；

(4) 在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；

(5) 刻蚀周边结；去除硅片的杂质玻璃；

(6) 在硅片背面的孔的周围区域进行反型掺杂，形成反型掺杂层；

(7) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；

(8) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；

(9) 在硅片背面设置隔断槽，使所述扩磷层和反型掺杂层处形成的PN结相互绝缘；即可得到N型双面背接触太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中，在硅片背面的孔的周围区域印刷铝浆，烧结，形成反型掺杂层。

3.根据权利要求1所述的N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中，在硅片背面的孔的周围区域沉积铝膜，然后激光驱入，形成反型掺杂层。

4.根据权利要求1所述的N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(9)中，采用激光切割形成所述隔断槽。

5.根据权利要求1所述的N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(9)中的隔断槽位于扩磷层和反型掺杂层之间，且隔断槽穿过绒面层并深入硅片内部10~50微米。

6.一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 在N型硅片的正面和背面进行制绒；

(2) 在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；

(3) 在硅片上开孔；

(4) 在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；

(5) 刻蚀周边结；去除硅片的杂质玻璃；

(6) 在硅片背面的孔的周围区域进行反型掺杂，形成反型掺杂层；

(7) 在硅片背面设置隔断槽，使所述扩磷层和反型掺杂层处形成的PN结相互绝缘；

(8) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；

(9) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触太阳能电池。

7.根据权利要求6所述的N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中，在硅片背面的孔的周围区域沉积铝膜，然后激光驱入，形成反型掺杂层。

8.根据权利要求6所述的N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中，采用激光切割形成所述隔断槽。

9.根据权利要求6所述的N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中的隔断槽位于扩磷层和反型掺杂层之间，且隔断槽穿过绒面层并深入硅片内部10~50微米。