[发明专利]基板冷热处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体晶片和液晶显示装置用的玻璃基板(以下简称为基板)等基板进行处理的装置，具体地说是一种基板冷热处理装置。

背景技术

一般基板在曝光后要进行加热速冷工艺，加热是为了消除驻波效应及进行光酸放大反应，冷却是为了降低光阻温度停止光酸扩散反应，提高制成稳定性。以往都是先将基板放入热盘中加热后再利用导轨将冷盘移动到热盘的上面对基板进行冷却，这样，装置的尺寸为热盘加上冷盘的大小，尺寸变得很大；由于冷盘的移动使得周围空气发生对流，会使粉尘附着在基板上；再有，冷盘的移动还会增加工艺处理的时间。

发明内容

为了解决现有基板在加热速冷时存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种基板冷热处理装置。该装置通过使冷却部分与加热部分成为一体，从而可以满足多工艺处理的同时使设备尺寸变小、处理时间变短、防止粉尘的发生。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明包括承载基板的支撑板，该支撑板内埋设有电阻丝并开有供冷却流体流过的冷却槽；所述电阻丝与电源连接，为基板加热。

其中：所述冷却槽上方的支撑板内开有导线槽，所述电阻丝容置于该导线槽内；所述导线槽与冷却槽相对独立；所述支撑板为导热性能好的金属板，分为上层板、中层板、下层板三层，所述导线槽设在上层板的下表面，俯视呈螺旋状；所述冷却槽设在下层板的上表面，俯视呈“S”型；所述中层板位于导线槽与冷却槽之间；所述支撑板的中间开有通孔，所述电阻丝的一端由该通孔向下引出、与电源连接；所述支撑板的上表面均布有多个的支撑部，基板支撑在该支撑部上，与所述支撑板的上表面留有间隙；所述支撑部俯视呈环状，上部为锥台、下部为底座，所述基板的边缘靠在所述锥台的内侧、并由底座支撑；所述底座的厚度与基板和支撑板上表面之间的间距相等；所述支撑板沿高度方向均布有多个贯通孔，每个贯通孔内均插设有支撑杆，所述支撑杆的下端连接在升降机构上，顶端突出于支撑板的上表面；所述升降机构包括气缸及联动杆，其中联动杆的一端与气缸的活塞相连，另一端与所述支撑杆的下端连接；在联动杆的下方设有挡板，该挡板上放置有调整基板与支撑板上表面之间间距的垫片；所述贯通孔为三个，三个贯通孔的中心线之间的连线为正三角形，该正三角形的中心即为支撑板的中心；所述支撑杆的顶端为球面。

本发明的优点与积极效果为：

1.本发明的支撑板集加热、冷却功能于一体，使得在实现多工艺处理的同时减小了设备的尺寸(省略了传统的导轨等部件)。

2.本发明可以减少冷盘移动过程中造成的粉尘污染。

3.本发明通过利用挡板停止支撑杆后支撑住基板，使得基板与烘焙板之间形成微小间隙，使得加热均匀；再有，可以代替传统工艺的陶瓷球埋设于烘焙板表面。

4.本发明结构简单、反应迅速、安装方便、价格低廉等特点。

5.本发明可以缩短工艺处理时间。

附图说明

图1为本发明的结构俯视图；

图2为图1的纵剖示意图；

图3为图2中支撑基板方式的局部放大图；

其中：W为基板，1为支撑板，2为导线槽，3为冷却槽，4为电阻丝，5为支撑部，6为支撑杆，7为贯通孔，8为注入配管，9为排出配管，10为气缸，11为电磁阀，12为联动杆，13为上层板，14为中层板，15为下层板，16为挡板，17为垫片。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详述。

如图1～3所示，本发明包括承载基板W的支撑板1，该支撑板1通过支架安装在基础上，为具有良好导热性能金属板、起到热传导作用，可以由铝等热传导性能好的材料制成，为圆盘状。支撑板1分为上层板13、中层板14、下层板15三层，在上层板13的下表面设有俯视呈螺旋状的导线槽2(凹槽)，该导线槽2内容置有电阻丝4，电阻丝4可以是不锈钢等易发热的金属。支撑板1的中间开有通孔，电阻丝4排布于导线槽2中，电阻丝4的一端由支撑板1中间的通孔向下引出、与电源连接，通电后为基板W加热。

下层板15的上表面设有俯视呈“S”型、供冷却流体流过的冷却槽3(凹槽)，起冷却作用；该冷却槽3的两端分别接有注入配管8及排出配管9，注入配管8与冷却流体源连接、连接的管路上设有电磁阀11，排出配管9与冷却装置连接，冷却装置可以是冷却流体源，冷却流体可以是水等液体或气体；冷却槽3两端之间的部分俯视呈多个“S”型连接，如图1所示。