[发明专利]基板冷热处理装置有效
申请号: | 201210164107.0 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN103426793A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 梁晓东 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷热 处理 装置 | ||
1.一种基板冷热处理装置,其特征在于:包括承载基板(W)的支撑板(1),该支撑板(1)内埋设有电阻丝(4)并开有供冷却流体流过的冷却槽(3);所述电阻丝(4)与电源连接,为基板(W)加热。
2.按权利要求1所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述冷却槽(3)上方的支撑板(1)内开有导线槽(2),所述电阻丝(4)容置于该导线槽(2)内;所述导线槽(2)与冷却槽(3)相对独立。
3.按权利要求2所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述支撑板(1)为导热性能好的金属板,分为上层板(13)、中层板(14)、下层板(15)三层,所述导线槽(2)设在上层板(13)的下表面,俯视呈螺旋状;所述冷却槽(3)设在下层板(15)的上表面,俯视呈“S”型;所述中层板(14)位于导线槽(2)与冷却槽(3)之间。
4.按权利要求2或3所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述支撑板(1)的中间开有通孔,所述电阻丝(4)的一端由该通孔向下引出、与电源连接。
5.按权利要求1所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述支撑板(1)的上表面均布有多个的支撑部(5),基板(W)支撑在该支撑部(5)上,与所述支撑板(1)的上表面留有间隙。
6.按权利要求5所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述支撑部(5)俯视呈环状,上部为锥台、下部为底座,所述基板(W)的边缘靠在所述锥台的内侧、并由底座支撑;所述底座的厚度与基板(W)和支撑板(1)上表面之间的间距相等。
7.按权利要求1所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述支撑板(1)沿高度方向均布有多个贯通孔(7),每个贯通孔(7)内均插设有支撑杆(6),所述支撑杆(6)的下端连接在升降机构上,顶端突出于支撑板(1)的上表面。
8.按权利要求7所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述升降机构包括气缸(10)及联动杆(12),其中联动杆(12)的一端与气缸(10)的活塞相连,另一端与所述支撑杆(6)的下端连接;在联动杆(12)的下方设有挡板(16),该挡板(16)上放置有调整基板(W)与支撑板(1)上表面之间间距的垫片(17)。
9.按权利要求7所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述贯通孔(7)为三个,三个贯通孔(7)的中心线之间的连线为正三角形,该正三角形的中心即为支撑板(1)的中心。
10.按权利要求7所述的基板冷热处理装置,其特征在于:所述支撑杆(6)的顶端为球面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造