[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法

权利要求书

1.薄膜晶体管阵列衬底，包括：

薄膜晶体管，位于衬底上的像素区域中，所述薄膜晶体管包括有源层、具有下电极和上电极的栅电极、源电极和漏电极、插在所述有源层与所述栅电极之间的第一绝缘层、以及插在所述栅电极与所述源电极和漏电极之间的第二绝缘层；

第一线和第二线，与所述栅电极位于相同的层上，所述第一线和所述第二线包括与所述栅电极相同的材料且以第一方向排列；

第三线，与所述第一线交叉，以限定像素区域，所述第三线与所述源电极和漏电极位于相同的层上，并包括与所述源电极和漏电极相同的材料，并且所述第三线以第二方向排列；

修复线，与所述有源层位于相同的层上，所述修复线包括与所述有源层相同的材料；以及

像素电极，位于所述像素区域中，所述像素电极与所述下电极位于相同的层上，并包括与所述下电极相同的材料。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述修复线以所述第一方向排列，并与所述第三线具有至少一个交叉点。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述修复线是多条修复线之一，所述多条修复线中的至少一条位于所述像素区域中的所述第一线的第一侧，所述多条修复线中至少另一条位于所述像素区域中的所述第二线的与所述第一侧相对的第二侧。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述修复线以所述第二方向排列，并与所述第一线和所述第二线具有至少一个交叉点。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，

所述第三线是多条第三线之一，所述多条第三线中的每一条均与第一像素、第二像素或第三像素电耦合，以及

所述修复线是多条修复线之一，所述多条修复线中的每一条分别排列在每一条第三线的一侧且与所述多条第三线平行，从而跨越相邻的两个像素区域。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述修复线包括：

第一修复线，以所述第一方向排列并与所述第三线具有至少一个交叉点；以及

第二修复线，以所述第二方向排列并与所述第一线和所述第二线具有至少一个交叉点，所述第一修复线和所述第二修复线彼此交叉。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第一修复线是多条第一修复线之一，所述多条第一修复线中的至少一条位于所述像素区域中的所述第一线的第一侧，所述多条第一修复线中的至少另一条位于所述像素区域中的所述第二线的与所述第一侧相对的第二侧。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，

所述第三线是多条第三线之一，所述多条第三线中的每一条均与第一像素、第二像素或第三像素电耦合，以及

所述修复线是多条修复线之一，所述多条修复线中的每一条分别排列在每一条第三线的一侧且与所述多条第三线平行，从而跨越相邻的两个像素区域。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述有源层和所述修复线包括半导体材料。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述下电极和所述像素电极包括透明传导氧化物。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述透明传导氧化物包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓以及氧化铝锌中的至少一种。

12.制造薄膜晶体管阵列衬底的方法，包括：

第一掩模过程，包括在衬底上形成半导体层并对所述半导体层进行构图，以形成薄膜晶体管的有源层以及修复线；

第二掩模过程，包括形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上顺序地堆叠第一传导层和第二传导层，并且同时对所述第一传导层和所述第二传导层进行构图，以形成所述薄膜晶体管的栅电极、扫描线、电源线以及像素电极图案；

第三掩模过程，包括形成第二绝缘层和形成开口，使得所述第二绝缘层暴露所述有源层的源区域和漏区域以及所述像素电极图案，以形成所述第三掩模过程所产生的结构；以及

第四掩模过程，包括在所述第三掩模过程所产生的结构上形成第三传导层，对所述第三传导层进行构图，以形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极、数据线和像素电极。