[发明专利]一种在光子晶体中引入缺陷的方法

权利要求书

1.一种在光子晶体中引入缺陷结构的方法，包括以下步骤：

（1）取折射率和光刻胶相近且不相等的均匀液体滴在阶梯型薄膜的膜层阶梯处，阶梯型薄膜在和光刻胶相接的空气隙里均匀展开并吸附在一起，组成阶梯膜曝光系统； 

（2）使用全息光刻光路制备光子晶体，将阶梯膜曝光系统调节到全息光刻光路的焦平面处； 

（3）利用CCD对相干光强模式进行实时监控； 

（4）重复步骤（2）和（3），直到在CCD中观察到的光强分布达到对比度最大，表明此时的二维干涉模式质量最好；打开全息光刻光路的激光进行曝光，根据利用光刻胶的曝光剂量和曝光深度的相关数据，反推到相干光强，并结合相干区域光斑的面积大小，最终确定曝光时间； 

（5）曝光完成后，对阶梯型薄膜进行显影，除去因曝光剂量不足而未固化部分，得到缺陷结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述均匀液体的折射率与光刻胶的折射率相差+10%。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全息光刻光路包括两个消色差透镜（L1、L2）组成的4f系统，使光束汇聚在一个大面积的相干区域，且光刻胶的位置位于第二消色差透镜（L2）焦平面处。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光刻胶为SU8光刻胶。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阶梯膜的制备方法包括以下步骤：

（a）利用硅片的自然解理面为模板；

（b）离子均匀镀在硅片基底上，形成阶梯型膜层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤（b）中利用利用高温磁控溅镀。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述膜层不大于5μm。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述阶梯型薄膜，膜层梯度为90°+5°。