[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的MZO层及Cu_1-xNi_xO层，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO为掺铝的氧化锌、掺镓的氧化锌或掺铟的氧化锌。

2.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将MZO靶材、Cu_1-xNi_xO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材；

在所述衬底表面溅镀MZO层，溅镀所述MZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；

在所述MZO层表面溅镀Cu_1-xNi_xO层，溅镀所述Cu_1-xNi_xO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

3.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MZO层的厚度为50nm~300nm，所述Cu_1-xNi_xO层的厚度为0.5nm~5nm。

4.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M₂O₃粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M₂O₃的质量百分数为0.5%~10％，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。

5.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述Cu_1-xNi_xO靶材由以下步骤得到：根据Cu_1-xNi_xO各元素的化学计量比称取CuO和NiO粉体并混合均匀后在800℃~1200℃下烧结制成靶材。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、MZO层及Cu_1-xNi_xO层，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO为掺铝的氧化锌、掺镓的氧化锌或掺铟的氧化锌。

7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将MZO靶材、Cu_1-xNi_xO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材；

在所述衬底表面溅镀MZO层，溅镀所述MZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；

在所述MZO层表面溅镀Cu_1-xNi_xO层，溅镀所述Cu_1-xNi_xO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M₂O₃粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M₂O₃的质量百分数为0.5%~10%，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。