[发明专利]发光二极管晶粒测试装置及其测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管晶粒测试装置及测试方法。

背景技术

发光二极管由发光二极管晶粒封装而成，其质量是否合格主要取决于发光二极管晶粒，封装对发光二极管晶粒的质量影响较小。然而，目前发光二极管晶粒往往需在封装完后利用光纤等装置辅助才能测量光电特性以判断质量是否合格，常常在发光二极管晶粒不合格的情况下还进行封装，造成浪费，提高发光二极管的成本。

另外，现有的发光二极管测试主要靠人工，由操作员设定并为发光二极管提供不同的电源，然后测量发光二极管发出的对应光功率，从而得到发光二极管的光电特性。测试效率低。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可降低成本且提高效率的发光二极管晶粒的测试装置及测试方法。

一种发光二极管晶粒测试装置，用于测试一个发光二极管晶粒是否满足预定的光电特性，该发光二极管晶粒用于在满足该预定的光电特性后被封装成发光二极管，该发光二极管晶粒测试装置包括：

一个输出电源用于输出电源至该发光二极管晶粒，以使该发光二极管晶粒发光；

一个光谱分析仪用于测量该发光二极管晶粒发出的光的波长；

及

一个处理器，其包括

一个控制单元，用于控制该输出电源依据设定的电功率值向该发光二极管晶粒输入电源并控制该光谱分析仪测量该发光二极管晶粒发出的光的波长；

一个存储单元，该存储单元内存储有该发光二极管晶粒对应不同的输入电功率所应发出的光的波长的标准范围值；

一个用户接口用于接收用户输入以确定的该输出电源的电源输出功率及该光谱分析仪测量到的该光电转换芯片发出的光的波长；及

一个分析单元，用于分析该发光二极管晶粒在该输出电源输出的一电功率时，该发光二极管晶粒发出的光的波长是否落入该电功率下该发光二极管晶粒所应发出的光的波长的标准范围值内，以供判断该发光二极管晶粒的光电特性是否满足预定的光电特性。

一种发光二极管晶粒测试方法，用于测试一个发光二极管晶粒是否满足预定的光电特性，该发光二极管晶粒用于在满足该预定的光电特性后被封装成发光二极管，该发光二极管晶粒测试测试方法包括以下步骤：

承载该发光二极管晶粒；

设定输出电源功率值；

根据该输出电源功率值向该发光二极管晶粒提供输入电源，以使发光二极管晶粒发光；

测量该发光二极管晶粒发出的光的波长；

根据该输出电源功率值、测量到的该发光二极管晶粒的发出的光的波长判断该发光二极管晶粒的光电特性是否满足该预定的光电特性，从而判断该发光二极管晶粒是否合格。

相对于现有技术，采用该发光二极管晶粒测试装置及测试方法可以在发光二极管晶粒制造过程中直接对发光二极管晶粒进行测试，并仅封装测试合格的发光二极管晶粒，避免封装不合格的发光二极管晶粒，造成浪费，从而降低发光二极管晶粒的成本。另外，该测试装置及测试方法可以实现自动测试，达到提高效率的效果。

附图说明

图1为本发明较佳实施方式的发光二极管晶粒测试方法的流程图。

图2为本发明较佳实施方式的发光二极管晶粒测试装置的示意图。

图3为图2的测试装置的处理器的示意图。

主要元件符号说明