[发明专利]一种功率MOS器件结构

权利要求书

1.一种功率MOS器件结构，包括多个LDMOS基本单元和多个焊接垫；所述多个LDMOS基本单元并联，并与所述多个焊接垫通过金属电连接，以引出所述多个LDMOS基本单元的栅端、源端、漏端及衬底，其特征在于：

所述多个焊接垫正下方设有LDMOS基本单元；所述多个焊接垫包括厚度为3.5um至4.5um、线宽为1.5um至2.5um的单层金属。

2.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述多个焊接垫与所述多个LDMOS基本单元之间设有第一金属层，所述多个LDMOS基本单元、所述第一金属层与所述多个焊接垫之间通过金属栓电连接。

3.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述多个焊接垫包括栅极焊接垫、源极焊接垫、漏极焊接垫以及衬底焊接垫以分别引出并联的所述多个LDMOS基本单元的栅端、源端、漏端及衬底。

4.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述单层金属为铝铜金属或者铝硅铜金属。

5.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述多个焊接垫还包括位于单层金属之下的阻挡层。

6.根据权利要求5所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述阻挡层包括钛层和氮化钛层，该钛层的厚度为300?~600?，该氮化钛层的厚度为300?~800?。

7.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述多个焊接垫还包括位于单层金属之上的抗反射层。

8.根据权利要求7所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述抗反射层包括钛层和氮化钛层，该钛层的厚度为100?~400?，该氮化钛层的厚度为250?~400?。

9.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述功率MOS器件结构表面覆盖有钝化层，所述钝化层上设有开口以将所述多个焊接垫露出。

10.根据权利要求9所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述钝化层从下至上依次包括：厚度为1k?至2k?等离子体富硅氧化膜层、厚度为10k?至20k?的高密度等离子体二氧化硅膜层以及厚度为7k?至11k?的等离子体氮化硅膜层。