[发明专利]一种制作阵列部分环带光子筛匀光器的方法无效
| 申请号： | 201210142241.0 | 申请日： | 2009-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102681170A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 贾佳;谢长青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B27/09 | 分类号： | G02B27/09;G02B5/18;G02B27/42;G03F7/20;G03F7/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 阵列 部分 环带 光子 筛匀光器 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作阵列部分环带光子筛匀光器的方法，其特征在于，该方法利用大规模集成电路工艺技术和平面光刻工艺技术实现，包括：
利用电子束直写法制作出母版；
通过接触式光刻法将母版图案转移到涂有光刻胶的光学玻璃上；
利用感应耦合等离子刻蚀技术，将移到光学玻璃光刻胶上的图案刻蚀到光学玻璃中。
2.根据权利要求1所述的制作阵列部分环带光子筛匀光器的方法，其特征在于，所述通过接触式光刻法将母版图案转移到涂有光刻胶的光学玻璃上的步骤中，所述接触曝光的复制误差小于0.5μm，所采用的光刻胶为Shipley s1818，厚度为1.8μm。
3.根据权利要求2所述的制作部分环带光子筛的方法，其特征在于，所述将移到光学玻璃光刻胶上的图案刻蚀到光学玻璃中的步骤中，所采用的刻蚀气体为三氟甲烷CHF3，流量为30SCCM，RF功率为500W，偏置功率为200W，对石英基底的刻蚀速率为0.077μm/min。
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