[发明专利]提高硅晶体电池片转换效率的方法有效
| 申请号： | 201210141799.7 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709181A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘振淮;熊震;付少永;张驰 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 晶体 电池 转换 效率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高硅晶体电池片转换效率的方法,其特征是：硅片在正式制备电池前进行如下的热处理:在氮气、氩气、氦气的一种或几种惰性混合气体气氛中，将硅片以20~200℃/s的速率快速加热至900℃以上，热处理1s~30min，然后以30℃~80℃/s的速率冷却至室温,将硅晶体中沉淀铁转换为间隙铁；将上述热处理后的硅片制备电池片。
2.根据权利要求1所述的提高硅晶体电池片转换效率的方法,其特征是：将硅片以20~50℃/s的速率快速加热至950℃以上，热处理10s~20s，然后以50~70℃/s的速率冷却至室温。
3.根据权利要求1所述的提高硅晶体电池片转换效率的方法,其特征是：硅片快速加热方法包括微波加热、红外加热或电阻加热，加热装置为带式炉或腔式炉。
4.根据权利要求1所述的提高硅晶体电池片转换效率的方法,其特征是：硅片包含铸锭多晶硅片、铸锭单晶硅片、CZ提拉单晶硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210141799.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
