[发明专利]等离子体生成用电极和等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201210141209.0 申请日: 2012-05-08
公开(公告)号: CN102779715A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 南雅人;佐佐木芳彦 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 金世煜;苗堃
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 生成 用电 处理 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在对液晶显示装置(LCD)这样的平板显示(FPD)用基板实施干式蚀刻等等离子体处理时使用的等离子体生成用电极和使用其的等离子体处理装置。

背景技术

在FPD的制造过程中,对作为被处理体的玻璃基板进行蚀刻、溅射、CVD(Chemical Vapor Deposition)等的等离子体处理。例如,在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极),在作为下部电极发挥功能的基座(基板载置台)载置玻璃基板后,将处理气体导入腔室内,并且,对电极的至少一方施加高频电力在电极间形成高频电场,通过该高频电场形成处理气体的等离子体来对玻璃基板实施等离子体处理。

在进行这样的等离子体处理的等离子体处理装置中,可采取抑制腔室内的电极因等离子体导致的磨损、因气体引起的腐蚀的对策。

例如,在等离子体蚀刻装置中,作为上部电极,可使用形成有用于喷出处理气体的多个气体喷出孔的电极,使用在铝母材的表面实施硬质氧化铝膜处理(阳极氧化处理)而形成了氧化铝被膜的电极,可利用氧化铝被膜来抑制因等离子体导致的磨损、因气体引起的腐蚀。

另外,专利文献1中记载了利用电介质膜覆盖构成下部电极的形成有多个贯通孔的电极部件的上表面的构成,由此,抑制下部电极的金属被等离子体溅射产生飞散物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-183090号公报

发明内容

然而,随着FPD用玻璃基板日趋大型化,与此相伴,用于生成处理等离子体的高频输入功率变大。其结果,在具有边缘的气体喷出孔的开口部,集中的电场变大,该部分的氧化铝被膜因等离子体中离子的溅射等而局部大幅消耗,被削掉的氧化铝被膜成为颗粒化的原因,另外,由于氧化铝被膜的消耗,产生了氧化铝被膜变薄、在露出母材的部分发生异常放电等的问题。

对于这样的上部电极的问题,想到在形成有气体喷出孔的上部电极的下表面形成上述专利文献1公开的喷镀被膜,但与FPD基板的更加大型化相对应,上部电极也成为极其大型的电极,大幅显现因构成上部电极的铝与喷镀被膜之间的热膨胀率的差异导致的热膨胀的差别,结果喷镀被膜发生破裂、剥离,成为颗粒化的原因。

本发明鉴于上述事情而完成,其课题在于提供一种在对FPD用基板进行等离子体处理时难以产生异常放电、颗粒化的问题的等离子体生成用电极以及使用这样的等离子体生成用电极的等离子体处理装置。

为了解决上述课题,本发明的第1观点中,提供一种等离子体生成用电极,其特征在于,在对平板显示用基板进行等离子体处理的电容耦合型等离子体处理装置的处理容器内,与平板显示用基板对置地配置,具备:主体,具有与配置于上述处理容器内的平板显示用基板相对的对置面,对由铝或铝合金构成的基材的表面进行阳极氧化处理而构成,至少上述对置面为阳极氧化被膜;多个气体喷出孔,为了将用于生成等离子体的处理气体导入上述处理容器内而在上述主体的上述对置面开口而成;陶瓷喷镀被膜,至少形成在上述对置面的上述气体喷出孔的开口部。在上述对置面,上述陶瓷喷镀被膜之间的部分露出上述主体的面。

上述第1观点中,作为上述陶瓷喷镀被膜的构成材料,可优选使用氧化铝、氧化钇和氟化钇。

另外,上述气体喷出孔的上述开口部在包含上述气体喷出孔的中心轴的剖面构成扩张状(末広がり状)的曲线,上述陶瓷喷镀被膜能够沿着上述扩张状的曲线而形成。

上述陶瓷喷镀被膜可以如下构成:以每一个气体喷出孔为单位而形成在多个位置,相邻的陶瓷喷镀被膜彼此分离,上述相邻的陶瓷喷镀被膜之间的部分露出上述主体的上述对置面。另外,上述陶瓷喷镀被膜也可以如下构成:以多个气体喷出孔为单位而形成多个,相邻的陶瓷喷镀被膜彼此分离,上述相邻的陶瓷喷镀被膜之间的部分露出上述主体的上述对置面。作为典型的例子,可举出上述陶瓷喷镀被膜以直线状排列的多个气体喷出孔为单位而呈线状地形成多个。另外,上述主体可以是箱状部件,也可以是板状部件。

本发明的第2观点中,提供一种等离子体处理装置,其特征在于,是对平板显示用基板进行等离子体处理的电容耦合型等离子体处理装置,具有:处理容器,收纳平板显示用基板;载置台,设置在上述处理容器内,载置平板显示用基板,具有下部电极;上部电极,由上述第1观点的等离子体生成用电极构成;处理气体供给机构,向上述处理容器内供给处理气体;高频电力供给机构,用于向上述上部电极和上述下部电极的至少一方供给高频电力而在上述处理容器内形成上述处理气体的等离子体。

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