[发明专利]一种无源射频识别上电复位电路及无源射频识别标签

说明书

技术领域

本发明属于射频领域，尤其涉及一种无源射频识别上电复位电路及无源射频识别标签。

背景技术

射频识别（Radio Frequency Identification，RFID）是一种非接触式的自动识别技术，其可以应用于仓库管理、身份识别、交通运输、食品医疗、动物管理等多种领域，由于其广泛的应用，RFID技术在近年来越来越受到重视。

RFID标签主要分为无源标签和有源标签两种类型，无源式被动射频识别标签系统的能量来自读写器发射的射频能量，无须内置电源，通过天线接收到射频信号，在内部经过整流及稳压电路产生稳定的电源，在电源上电的过程中，上电复位电路检测并判断电源电压是否达到启动电压，当电源电压达到启动电压时输出复位信号，以对数字电路以及其他工作电路实现复位、启动。

图1所示为现有的上电复位电路的结构，包括N型MOS管M1、N型MOS管M2、电容C11、反相器NOT11、延迟器D11以及异或门XOR11；

其中，N型MOS管M1的栅极和漏极同时与电源电压VDDA连接，N型MOS管M1的源极与N型MOS管M2的漏极连接，N型MOS管M2的栅极与N型MOS管M2的漏极连接，N型MOS管M2的源极通过电容C11接地，N型MOS管M2与电容C11的连接点为节点J，N型MOS管M2的源极同时与反相器NOT11的输入端连接，反相器NOT11的输出端同时与延迟器D11的输入端、异或门XOR11的一端连接，反相器NOT11与延迟器D11、异或门XOR11的连接点为节点K1，延迟器D11的输出端与异或门XOR11的另一端连接，异或门XOR11的输出端为上电复位信号的输出端，用于输出复位信号。

在上述结构中，N型MOS管M1与N型MOS管M2形成了两个单向导通器件，当电源电压VDDA大于N型MOS管M1与N型MOS管M2的阈值电压之和时，N型MOS管M1和N型MOS管M2导通，电源电压VDDA对电容C11充电，电容C11的电压通过反向以及延迟处理后作为复位信号POR输出。

在动态快速上电过程中，由于反相器NOT11输出端，即节点K1的输出电压VK1因反相器NOT11输入端没有确定的电平驱动，因此电压VK1的变化延迟于电源电压VDDA的变化，即在上电瞬间节点K1的电压VK1不能很好的跟随电源电压VDDA，而始终与电源电压VDDA存在一定压差，详见图2中的信号波形，在图2中，S1为电源电压VDDA随时间变化的波形，S2为节点K1的电压VK1随时间变化的波形，S3为通过现有技术产生的复位信号POR随时间变化的波形。

在图2中可以明显看出，在电源电压VDDA已上升到高电平的临界值后，此时节点K1上的电压VK1依然还处于低电平的范围，此时经过反向、延迟后输出一个约为1.087V假脉冲复位信号FA，该假脉冲FA的幅值比较高，在电源电压VDDA为1.8V时，最高幅值可以达到1.3V，远高于数字电路以及其他工作电路中MOS管导通所需的阈值电压，从而导致系统在电源并没有上电完成时非正常启动，造成系统运行不稳定。

图3所示为现有另一种形式的上电复位电路的结构，包括P型MOS管M3、P型MOS管M4、P型MOS管M5、电容C12、反相器NOT12、延迟器D12以及异或门XOR12；

其中，P型MOS管M3的源极和P型MOS管M4的源极同时与电源电压VDDA连接，P型MOS管M3的栅极与其漏极连接，P型MOS管M3的漏极又与P型MOS管M5的源极连接，P型MOS管M5的栅极与其漏极同时接地，P型MOS管M4的栅极与P型MOS管M3的栅极连接，P型MOS管M4的漏极通过电容C12接地，P型MOS管M4的漏极还与反相器NOT12的输入端连接，反相器NOT12的输出端同时与延迟器D12的输入端、异或门XOR12的第二输入端连接，延迟器D12的输出端与异或门XOR12的第一输入端连接，异或门XOR12输出端为上电复位信号的输出端，用于输出复位信号。