[发明专利]一种功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率器件，包括：

衬底，在所述衬底中形成有阱区；

第一类型的缓冲区，设置于所述阱区中；

集电区，包括集电区第二类型区，所述集电区设置于所述缓冲区中；

沟道区，设置于所述衬底中，并环绕所述阱区；

发射区，设置于所述沟道区中；

其特征在于，所述集电区流向发射区的电流分为电流均匀分布区和电流集中分布区，在所述电流集中分布区内抑制所述发射区与所述集电区之间发射载流子的效率。

2.如权利要求1所述功率器件，其特征在于，所述发射区包括发射区第一类型区和发射区第二类型区；所述发射区第一类型区间隔分布，并设置于与所述发射区第二类型区相邻，且发射区第一类型区靠近所述集电区一侧。

3.如权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述发射区第一类型区包括一段或者多段，位于沟道区中的电流均匀分布区中。

4.如权利要求2所述的功率器件，其特征在于，采用离子注入法形成所述发射区第一类型区，注入离子为砷离子，注入能量为60～100KeV，注入剂量为2E15～8E15/cm²。

5.如权利要求2所述的功率器件，其特征在于，还包括集电区第一类型区，所述集电区第一类型区设置于所述集电区的两端，且所述集电区第一类型区与所述发射区第一类型区位置对应相错分布。

6.如权利要求5所述的功率器件，其特征在于，集电区第一类型区的注入离子为砷离子，注入能量为60～100KeV，注入剂量为2E15～8E15/cm²，退火温度为1250℃～1150℃。

7.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述发射区包括发射区第二类型注入区，所述发射区第二类型注入区部分设置于所述发射区第二类型区中、并穿透所述沟道区、部分位于所述衬底中。

8.如权利要求7所述的功率器件，其特征在于，采用离子注入法形成所述发射区第二类型注入区，注入离子为硼离子，注入能量为60～100KeV，注入剂量为1E15～5E15/cm²，退火温度为1250℃～1150℃。

9.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括场氧、栅氧和多晶栅，所述场氧位于所述沟道区和所述缓冲区之间，所述栅氧位于所述沟道区靠近所述缓冲区的一侧上，所述多晶栅位于所述栅氧和部分场氧上。

10.如权利要求9所述的功率器件，其特征在于，所述多晶栅的厚度为3000～5000埃。

11.如权利要求9所述的功率器件，其特征在于，所述栅氧的厚度为150～400埃，所述栅氧的厚度为5000～9000埃。

12.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，采用离子注入法形成所述集电区第二类型区，注入离子为硼离子，注入能量为60～100KeV，注入剂量为1E15～5E15/cm²。

13.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，采用离子注入形成所述沟道区，注入离子为硼离子，注入能量为40～100KeV，注入剂量为3E13～8E13/cm²。

14.如权利要求1至13中任意一项所述功率器件，其特征在于，所述载流子包括所述发射区向所述集电区发射的电子，或所述集电区所述向发射区发射的空穴。

15.如权利要求1至13中任意一项所述的功率器件，其特征在于，所述衬底为SOI衬底，包括硅衬底、位于硅衬底上的埋氧层以及位于所述埋氧层上的外延层。

16.如权利要求15所述的功率器件，其特征在于，所述埋氧层的厚度为1～3μm，所述外延层的电阻率为5～10Ω·cm，所述外延层的厚度为7～15μm。

17.如权利要求1至13中任意一项所述的功率器件，其特征在于，所述第一类型为N型，所述第二类型为P型；或所述第一类型为P型，所述第二类型为N型。

18.如权利要求1至13中任意一项所述的功率器件，其特征在于，所述阱区呈椭圆形或多边形，所述沟道区呈环形。