[发明专利]LED芯片斜切割方法、LED发光基元及LED照明装置

权利要求书

1.一种LED芯片斜切割方法，其特征在于包括步骤：

选择n片同类型LED芯片并去除每一LED芯片的衬底，n是大于1的整数；

通过透明电极将所述已经去除衬底的n片LED芯片的PN结串接并粘合成一个LED芯片的叠层体；

按照与叠层平面呈非垂直的预定角度α斜切割所述的LED芯片的叠层体，获得发光面扩展的LED芯片；并且

封装所述的发光面扩展的LED芯片。

2.根据权利要求1的LED芯片斜切割方法，其中所述预定角度α选择范围是在0°＜α≤60°之间。

3.根据权利要求1的LED芯片斜切割方法，其中所述切割形成的发光面扩展的LED芯片的厚度在2μm～5μm之间。

4.根据权利要求1的LED芯片斜切割方法，其中所述封装采用的是COB封装或者SDM封装。

5.采用权利要求1-4任意之一的方法形成的发光面扩展的LED芯片制作的LED发光基元，其包括根据应用要求并联或者串联连接的多个发光面扩展的LED芯片。

6.根据权利要求5的LED发光基元，其中根据所述构成的LED发光基元中的PN结串接的级数来确定供电电源的端电压。

7.采用权利要求5的LED发光基元形成的LED照明装置，其特征在于，其中将所述LED发光基元按照需要的发光功率的要求进行组合，并且以预定的几何形状排列在照明装置中。