[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包含至少一堆栈发光二极管单元，该堆栈发光二极管单元包含：

多个磊晶结构，其中，每一磊晶结构包含n侧氮化物半导体层、主动层与p侧氮化物半导体层；和

至少一穿隧接面，每一穿隧接面位于相邻该磊晶结构之间，用来堆栈多个该磊晶结构以形成该堆栈发光二极管单元；

其中当电流密度大于一预设电流密度值时，该磊晶结构的量子效率会下降(droop)，且小于该预设电流密度值时，该磊晶结构具有一量子效率峰值；且

对于某一给定的预设输入功率，该堆栈的多个磊晶结构的总电压大于每一该磊晶结构的操作电压，使得该堆栈发光二极管单元的操作电流密度降低而趋近该量子效率峰值。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该预设电流密度值为20A/cm²。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该磊晶结构的量子效率的下降速率大于或等于1％(A/cm²)^-1。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该量子效率峰值所对应的电流密度设为B，且该量子效率峰值的50％降幅所对应的电流密度设为A，则该磊晶结构符合以下关系：A＞B≥0.1A。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该量子效率峰值是内部量子效率峰值，其大于或等于60％。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，随着该n侧氮化物半导体层的缺陷密度的减少，该量子效率峰值跟着增加。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该主动层内的量子井的数目小于或等于6。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该堆栈发光二极管单元的量子井的总数目小于或等于30。

9.如权利要求1所述的发光二极管装置，其包含多个该堆栈发光二极管单元，以数组型式排列，且每一该堆栈发光二极管单元包含一第一电极及一第二电极，其中，相邻的堆栈发光二极管单元可通过其第一电极或第二电极彼此电连接，因而形成一串联序列且/或并联序列。

10.一种发光二极管装置，包含至少一堆栈发光二极管单元，该堆栈发光二极管单元包含：

多个磊晶结构，其中，每一磊晶结构包含n侧氮化物半导体层、主动层与p侧氮化物半导体层；及

至少一穿隧接面，每一穿隧接面位于相邻该磊晶结构之间，用来堆栈多个该磊晶结构以形成该堆栈发光二极管单元；

其中当电流密度大于一预设电流密度值时，该磊晶结构的量子效率会下降(droop)，且小于该预设电流密度值时，该磊晶结构具有一量子效率峰值；且

对于某一给定的预设输入功率，该堆栈发光二极管单元操作于该量子效率峰值的20％降幅以内所对应的电流密度区间。

11.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中该预设电流密度值为20A/cm²。

12.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中该磊晶结构的量子效率的下降速率大于或等于1％(A/cm²)^-1。

13.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中该堆栈的多个磊晶结构的堆栈数目决定于该操作的电流密度区间。

14.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中该堆栈发光二极管单元操作于该量子效率峰值的15％降幅以内所对应的电流密度区间。

15.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中该量子效率峰值是内部量子效率峰值，其大于或等于60％。

16.如权利要求10所述的发光二极管装置，随着该n侧氮化物半导体层的缺陷密度的减少，该量子效率峰值跟着增加。

17.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中该主动层内的量子井的数目小于或等于6。

18.如权利要求10所述的发光二极管装置，其中该堆栈发光二极管单元的量子井的总数目小于或等于30。

19.如权利要求10所述的发光二极管装置，其包含多个该堆栈发光二极管单元，以数组型式排列，且每一该堆栈发光二极管单元包含一第一电极及一第二电极，其中，相邻的堆栈发光二极管单元可通过其第一电极或第二电极彼此电连接，因而形成一串联序列且/或并联序列。