[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201210129336.9 申请日: 2012-04-27
公开(公告)号: CN103378254B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 陈世益;陈威佑;陈怡名;林敬倍;李宗宪 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【说明书】:

技术领域

发明是关于发光元件,尤其关于可增加光取出的发光元件。

背景技术

一般的发光二极体的示意简图如图1A及图1B所示,图1A为上视图,图1B为侧视图。一般的发光二极体是在基板111上形成一发光叠层101,由下而上依序包括第一电性半导体层101a、活性层101b、及第二电性半导体层101c。第一电性半导体层101a和第二电性半导体层101c电性相异,例如第一电性半导体层101a是n型半导体层,而第二电性半导体层101c是p型半导体层。分别在第一电性半导体层101a上设有一第一电极104,及在第二电性半导体层101c上设有一第二电极105以传递电流。此外,在第二电性半导体层101c上亦设有一透明导电层103以为做为欧姆接触层。目前金属和透明导电材料都可应用在LED元件作为欧姆接触材料,只是金属有良好的电流传递的优点却会有吸光的缺点,而透明导电材料虽具有透光的优点,但电流传递则不如金属。所以目前的解决方式大多是使用透明导电层103来做欧姆接触,再同时搭配金属线来做延伸电极105a以传递电流。在有金属线的延伸电极105a设计下,可以达到良好的电流扩散,但是也增加了金属的遮光,因而导致亮度的损耗。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种发光元件,可降低亮度损耗,增加光取出。

一种发光元件,包括:一发光叠层,具有一长度与一宽度,包括:一第一电性半导体层;一活性层位于第一电性半导体层之上;以及一第二电性半导体层位于活性层之上;一导电层位于第一电性半导体层之下,具有一宽度大于第一电性半导体层的宽度,包括与第一电性半导体层重叠的一第一重叠部及未与该第一电性半导体层重叠的一第一延伸部;一透明导电层位于第二电性半导体层之上,具有一宽度大于第二电性半导体层的宽度,包括与第二电性半导体层重叠的一第二重叠部及未与第二电性半导体层重叠的一第二延伸部;一第一电极大致只与第一延伸部或第一延伸部的一部份相接;以及一第二电极大致只与第二延伸部或第二延伸部的一部份相接。

在本发明的发光元件中,由于第一电极大致只与导电层的第一延伸部或其一部份相接,而第二电极大致只与透明导电层的第二延伸部或其一部份相接,亦即透明导电层的第二重叠部上不具有第二电极或延伸电极,因此不会有金属遮光所导致亮度的损耗,从而可增加光取出。

上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1A:示意现有技术的发光二极体上视图。

图1B:示意现有技术的发光二极体侧视图。

图2A至2F:示意本发明第一实施例的发光二极体形成方法及结构。

图3A至3E:示意本发明第二实施例的发光二极体形成方法及结构。

图4A至4D:示意本发明第三实施例的发光二极体形成方法及结构。

图5:示意应用本发明实施例的发光二极体所形成的发光装置。

图6A至6E:示意本发明第四实施例的发光二极体形成方法及结构。

图7:示意本发明第五实施例的发光二极体结构。

具体实施方式

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