[发明专利]一种自清洁反光镜及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201210122666.5 申请日: 2012-04-23
公开(公告)号: CN102643035A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 周改改;王振声 申请(专利权)人: 大连宏海新能源发展有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08;B32B17/06;B32B15/04
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;李岩
地址: 116021 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 清洁 反光镜 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种反光镜,特别是一种具有自清洁功能的反光镜及其制备方法。

背景技术

现有技术常用的反光镜在汽车、急弯路、太阳能聚光器等使用过程中,暴露在空气中时间稍长,反光镜的表面就会附着大量灰尘污渍,使反光镜的光反射性能严重下降。另外水滴及液态油性污染物粘着在反射镜上时间过久也会使得反光镜性能严重降低,并且很难清洗,因此,常用的普通反光镜必须经常清洗,才能保持其反光性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种自清洁反光镜及其制备方法,以克服现有技术反光镜的缺陷,可以保持反光镜较长时间的清洁,有效维持反光镜的反射率。

为达到上述目的,本发明的自清洁反光镜,包括:一基板;及一具有自清洁功能的复合膜层,该复合膜层镀制于该基板上。

上述自清洁反光镜,所述复合膜层包括:一Ag膜层;一覆盖于所述Ag膜层上的SiO2膜层;及一覆盖于所述SiO2膜层上的TiO2膜层。

上述自清洁反光镜,所述复合膜层包括:一Ag膜层;及一覆盖于所述Ag膜层上的TiO2膜层。

上述自清洁反光镜,所述复合膜层的厚度为300-700nm。

上述自清洁反光镜,所述复合膜层中,所述Ag膜层的厚度为100-300nm,所述SiO2膜层厚度为100-200nm;所述TiO2膜层厚度为100-200nm。

上述自清洁反光镜,所述复合膜层中,所述Ag膜层为反射膜层,所述SiO2膜层为保护膜层;所述TiO2膜层为自清洁膜层。

上述自清洁反光镜,所述基板为玻璃或者金属材质。

更进一步的,本发明提供了一种自清洁反光镜的制备方法,包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上采用磁控溅射法镀制一具有自清洁功能的复合膜层。

上述自清洁反光镜的制备方法,镀制复合膜层的步骤进一步包括:镀制一Ag膜层在所述基板上;镀制一SiO2膜层在所述银膜层上;及镀制一TiO2膜层在所述SiO2膜层上。

上述自清洁反光镜的制备方法,镀制复合膜层的步骤进一步包括:镀制一Ag膜层在所述基板上;及镀制一TiO2膜层在所述银膜层上。

上述自清洁反光镜的制备方法,所述磁控溅射法采用的磁控溅射靶与所述基板的距离为200-300mm,Ag靶高为1-1.5m宽为110-150mm厚为10-20mm;SiO2靶高为1-1.5m宽为110-150mm厚为10-20mm;TiO2靶高为1-1.5m宽为110-150mm厚为10-20mm。

上述自清洁反光镜的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射法采用的真空室的真空度达到10-3数量级帕斯卡以下,并使该真空室内保持10-2帕斯卡数量级的动态平衡压强。

上述自清洁反光镜的制备方法,在镀制所述Ag膜层时,银靶表面的磁场强度为80-90高斯;调节溅射电压为-370V--380V,溅射电流为4-5A,基板温度为80摄氏度左右,Ag膜沉积速率控制在20-25nm/min。

上述自清洁反光镜的制备方法,在镀制所述SiO2膜层时,SiO2靶表面磁场强度为110高斯左右;射频电源功率控制在5-7千瓦范围;SiO2膜沉积速率控制在3nm/min-5nm/min范围。

上述自清洁反光镜的制备方法,在镀制所述TiO2膜层时,关闭扩散泵,开启分子泵,真空度10-3帕斯卡数量级以下,TiO2靶表面磁场强度为80-90高斯;溅射电压-420V左右;溅射电流4-5A;充入氩气和氧气,控制氩、氧的流量比为1∶4,TiO2膜成膜速率控制在10nm/min-14nm/min。

上述自清洁反光镜的制备方法,所述Ag膜层的厚度为100-300nm,所述SiO2膜层厚度为100-200nm;所述TiO2膜层厚度为100-200nm。

上述自清洁反光镜的制备方法,所述复合膜层中,所述Ag膜层为反射膜层,所述SiO2膜层为保护膜层,所述TiO2膜层为自清洁膜层。

上述自清洁反光镜的制备方法,其特征在于,所述基板为玻璃或者金属材质。

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