[发明专利]一种自清洁反光镜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种自清洁反光镜，其特征在于，包括：

一基板；

一具有自清洁功能的复合膜层，该复合膜层镀制于该基板上。

2.根据权利要求1所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层包括：

一Ag膜层；

一覆盖于所述Ag膜层上的SiO₂膜层；

一覆盖于所述SiO₂膜层上的TiO₂膜层。

3.根据权利要求1所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层包括：

一Ag膜层；

一覆盖于所述Ag膜层上的TiO₂膜层。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层的厚度为300-700nm。

5.根据权利要求2所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层中，所述Ag膜层的厚度为100-300nm，所述SiO₂膜层厚度为100-200nm；所述TiO₂膜层厚度为100-200nm。

6.根据权利要求2所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述复合膜层中，所述Ag膜层为反射膜层，所述SiO₂膜层为保护膜层，所述TiO₂膜层为自清洁膜层。

7.根据权利要求1所述的自清洁反光镜，其特征在于，所述基板为玻璃或者金属材质。

8.一种自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，

在所述基板上采用磁控溅射法镀制一具有自清洁功能的复合膜层。

9.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，镀制复合膜层的步骤进一步包括：

镀制一Ag膜层在所述基板上；

镀制一SiO₂膜层在所述银膜层上；

镀制一TiO₂膜层在所述SiO₂膜层上。

10.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，镀制复合膜层的步骤进一步包括：

镀制一Ag膜层在所述基板上；

镀制一TiO₂膜层在所述银膜层上。

11.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法采用的磁控溅射靶与所述基板的距离为200-300mm，Ag靶高为1-1.5m宽为110-150mm厚为10-20mm；SiO2靶高为1-1.5m宽为110-150mm厚为10-20mm；TiO₂靶高为1-1.5m宽为110-150mm厚为10-20mm。

12.根据权利要求8所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法采用的真空室的真空度达到10-3数量级帕斯卡以下，并使该真空室内保持10-2帕斯卡数量级的动态平衡压强。

13.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，在镀制所述Ag膜层时，银靶表面的磁场强度为80-90高斯；调节溅射电压为-370V--380V，溅射电流为4-5A，基板温度为80摄氏度左右，Ag膜沉积速率控制在20-25nm/min。

14.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，在镀制所述SiO₂膜层时，SiO2靶表面磁场强度为110高斯左右；射频电源功率控制在5-7千瓦范围；SiO2膜沉积速率控制在3nm/min-5nm/min范围。

15.根据权利要求9所述的自清洁反光镜的制备方法，其特征在于，在镀制所述TiO₂膜层时，关闭扩散泵，开启分子泵，真空度10-3帕斯卡数量级以下，TiO₂靶表面磁场强度为80-90高斯；溅射电压-420V左右；溅射电流4-5A；充入氩气和氧气，控制氩、氧的流量比为1∶4，TiO2膜成膜速率控制在10nm/min-14nm/min。